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参数资料
| 型号： | 2SK4058(1)-S27-AY |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 48000 mA, 25 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-251AA |
| 封装： | LEAD FREE, MP-3-B, 3 PIN |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 237K |
| 代理商： | 2SK4058(1)-S27-AY |
Data Sheet D18033EJ2V0DS
3
2SK4058
TYPICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C)
DERATING FACTOR OF FORWARD BIAS
SAFE OPERATING AREA
TOTAL POWER DISSIPATION vs.
CASE TEMPERATURE
dT
-
Pe
rcentage
of
Rated
P
owe
r-
%
0
20
40
60
80
100
120
0
25
50
75
100 125
150 175
TC - Case Temperature -
°C
P
T
-T
otal
Powe
rDis
sipation
-
W
TC - Case Temperature -
°C
FORWARD BIAS SAFE OPERATING AREA
DRAIN CURRENT vs CASE TEMPERATURE
I
D
-
Drai
nCur
rent
-
A
0.1
1
10
100
1000
0.1
1
10
100
P/W = 100
μs
ID(pulse)
1 ms
10 ms
ID(DC)
RDS(on) Limited
(VGS = 10 V)
TC = 25°C
Single pulse
Power Dissipation Limited
VDS - Drain to Source Voltage - V
I
D
–
Dr
ai
nCu
rr
en
t-
A
0
10
20
30
40
50
60
0
50
100
150
TC –Case Temperature -
°C
TRANSIENT THERMAL RESISTANCE vs. PULSE WIDTH
r
th
(t
)-
Transient
Thermal
Res
istance
-
°C/W
0.1
1
10
100
1000
Rth(ch-A) = 125°C/W
Rth(ch-C) = 4.31°C/W
Single Pulse
PW - Pulse Width – s
0
5
10
15
20
25
30
35
0
25
50
75
100 125 150 175
100
μ
1 m
10 m
100 m
1
10
100
1000
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