- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录33504 > 2SK4058(1)-S27-AY 48000 mA, 25 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-251AA PDF资料下载
参数资料
| 型号： | 2SK4058(1)-S27-AY |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 48000 mA, 25 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-251AA |
| 封装： | LEAD FREE, MP-3-B, 3 PIN |
| 文件页数： | 5/8页 |
| 文件大小： | 237K |
| 代理商： | 2SK4058(1)-S27-AY |
Data Sheet D18033EJ2V0DS
5
2SK4058
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
CAPACITANCE vs. DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
R
DS
(o
n)
-Drai
nto
S
ource
On-stat
eRe
si
stan
ce
-m
Ω
0
5
10
15
20
-75
-25
25
75
125
175
10 V
VGS = 4.5 V
ID = 24 A
Pulsed
Tch - Channel Temperature - °C
C
is
s,
C
os
s,
C
rs
s-
Ca
pac
itanc
e-
pF
10
100
1000
10000
0.1
1
10
100
VGS = 0 V
f = 1 MHz
Ciss
Coss
Crss
VDS - Drain to Source Voltage - V
SWITCHING CHARACTERISTICS
DYNAMIC INPUT/OUTPUT CHARACTERISTICS
t
d(
on)
,t
r,t
d(of
f),
t
f-
Swi
tchi
ng
Time
-ns
1
10
100
0.1
1
10
100
tr
td(off)
td(on)
tf
VDD = 12 V
VGS = 10 V
RG = 3
Ω
ID - Drain Current - A
V
DS
-
Drain
to
S
o
urce
Voltage
-
V
0
5
10
15
20
25
010
20
30
40
0
2
4
6
8
10
12
VDS
VDD = 20 V
12 V
ID = 48 A
VGS
QG - Gate Charge - nC
V
GS
-
Gate
to
So
ur
ce
V
oltage
-
V
SOURCE TO DRAIN DIODE FORWARD VOLTAGE
REVERSE RECOVERY TIME vs.
DIODE FORWARD CURRENT
I
F-
Diode
F
orward
Cur
rent
-A
0.01
0.1
1
10
100
1000
00.5
11.5
VGS = 10 V
0 V
Pulsed
4.5 V
VF(S-D) - Source to Drain Voltage - V
trr
-Re
verse
R
ecov
ery
Time
-n
s
1
10
100
1000
0.1
1
10
100
di/dt = 100 A/
μs
VGS = 0 V
IF - Diode Forward Current - A
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK4059MFV-C | 0.5 mA, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET |
| 2SK4059MFV-A | 0.26 mA, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET |
| 2SK4059MFV | N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET |
| 2SK4059TK | N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET |
| 2SK4059TK-A | 0.26 mA, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SK4058-ZK-E1-AY | 功能描述:MOSFET N-CH 25V TO-252 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| 2SK4058-ZK-E2-AY | 功能描述:MOSFET N-CH 25V MP-3ZK/TO-252 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| 2SK4059TK | 制造商:TOSHIBA 制造商全称:Toshiba Semiconductor 功能描述:Silicon N Channel Junction Type For ECM |
| 2SK4059TV | 制造商:TOSHIBA 制造商全称:Toshiba Semiconductor 功能描述:Silicon N Channel Junction Type For ECM |
| 2SK405O | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 160V V(BR)DSS | 8A I(D) | TO-247VAR |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。