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参数资料
| 型号： | 2SK4058(1)-S27-AY |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 48000 mA, 25 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-251AA |
| 封装： | LEAD FREE, MP-3-B, 3 PIN |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 237K |
| 代理商： | 2SK4058(1)-S27-AY |
Data Sheet D18033EJ2V0DS
4
2SK4058
DRAIN CURRENT vs.
DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
FORWARD TRANSFER CHARACTERISTICS
I
D
-
Dr
ain
Cur
rent
-
A
0
50
100
150
200
012
34
VGS = 10 V
Pulsed
4.5 V
VDS - Drain to Source Voltage - V
I
D
-
Dr
ain
Cur
rent
-
A
0.01
0.1
1
10
100
0
123
45
VDS = 10 V
Pulsed
Tch =
55°C
25°C
50°C
75°C
125°C
150°C
VGS - Gate to Source Voltage - V
GATE CUT-OFF VOLTAGE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
FORWARD TRANSFER ADMITTANCE vs.
DRAIN CURRENT
V
GS
(of
f)-
Gate
Cut
-off
V
oltage
-
V
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
-75
-25
25
75
125
175
VDS = 10 V
ID = 1 mA
Tch - Channel Temperature -
°C
|
y
fs
|-
Forwar
d
T
ransfer
A
dmittan
ce
-
S
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
VDS = 10 V
Pulsed
Tch =
55°C
25°C
50°C
75°C
125°C
150°C
ID - Drain Current - A
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
DRAIN CURRENT
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
GATE TO SOURCE VOLTAGE
D
S
(on)
-Drain
to
S
ou
rc
eOn-s
tate
Resis
tance
-
m
Ω
0
5
10
15
20
25
30
1
10
100
1000
10 V
Pulsed
VGS = 4.5 V
ID - Drain Current - A
R
DS
(on)
-Drain
to
Sou
rc
eOn-s
tate
Re
sis
tance
-
m
Ω
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
0
5
10
15
20
Pulsed
ID = 48 A
24 A
9.6 A
VGS - Gate to Source Voltage - V
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