型号: | 2SK4092-A |
元件分类: | JFETs |
英文描述: | 21 A, 600 V, 0.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
封装: | TO-3P, MP-88, 3 PIN |
文件页数: | 4/8页 |
文件大小: | 192K |
代理商: | 2SK4092-A |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
---|---|
2SK4095-T-AZ | 0.5 mA, 250 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
2SK4098LS | 7 A, 600 V, 1.1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
2SK4098LS | 7 A, 600 V, 1.1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
2SK4119LS | 21 A, 400 V, 0.26 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
2SK4119LS | 21 A, 400 V, 0.26 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
---|---|
2SK4093 | 制造商:RENESAS 制造商全称:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |
2SK4093TZ-E | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:Trans MOSFET N-CH 250V 1A 3-Pin TO-92 Mod Box 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:MOSFET - Tape and Reel 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:MOSFET N-CH 250V 1A TO-92 |
2SK4094 | 功能描述:MOSFET N-CH 60V 100A TO220-3 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
2SK4094_12 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications |
2SK4094-1E | 功能描述:MOSFET N-CH 60V 100A TO220-3 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极,4V 驱动 漏源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):100A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):5 毫欧 @ 50A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):220nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):12500pF @ 20V 功率 - 最大值:1.75W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220-3 标准包装:50 |