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参数资料
| 型号： | 2SK4092-A |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 21 A, 600 V, 0.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封装： | TO-3P, MP-88, 3 PIN |
| 文件页数： | 5/8页 |
| 文件大小： | 192K |
| 代理商： | 2SK4092-A |
Data Sheet D18776EJ1V0DS
5
2SK4092
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
CAPACITANCE vs.
DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
R
DS
(o
n)
-Drai
nto
S
ource
O
n-sta
te
Re
sist
ance
-
Ω
0
0.5
1
1.5
2
-75
-25
25
75
125
175
ID = 21 A
10 A
VGS = 10 V
Pulsed
Tch - Channel Temperature -
°C
C
is
s,
C
os
s,
C
rs
s-
Capacitance
-
pF
0.1
1
10
100
1000
10000
0.1
1
10
100
1000
VGS = 0 V
f = 1 MHz
Crss
Ciss
Coss
VDS - Drain to Source Voltage - V
SWITCHING CHARACTERISTICS
DYNAMIC INPUT/OUTPUT CHARACTERISTICS
t
d(on)
,t
r,
t
d(of
f),
t
f-
Switching
Time
-
ns
1
10
100
1000
0.1
1
10
100
VDD = 150 V
VGS = 10 V
RG = 10
Ω
td(off)
tf
tr
td(on)
ID - Drain Current - A
V
DS
-
Drain
to
Source
V
oltage
-
V
0
100
200
300
400
500
600
0
102030
4050
60
0
2
4
6
8
10
12
VDS
VGS
ID = 21 A
VDD = 450 V
300 V
150 V
QG - Gate Charge - nC
V
GS
-
G
ate
to
S
our
ce
V
oltage
-
V
SOURCE TO DRAIN DIODE
FORWARD VOLTAGE
REVERSE RECOVERY TIME vs.
DIODE FORWARD CURRENT
I
F-
Diode
Forward
Current
-
A
0.01
0.1
1
10
100
00.5
11.5
Pulsed
0 V
VGS = 10 V
VF(S-D) - Source to Drain Voltage - V
trr
-R
everse
Reco
very
Tim
e-
ns
10
100
1000
0.1
1
10
100
di/dt = 100 A/
μs
VGS = 0 V
IF - Diode Forward Current - A
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