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参数资料
| 型号： | 2SK4108 |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 20 A, 500 V, 0.27 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, 2-16C1B, 3 PIN |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 245K |
| 代理商： | 2SK4108 |
2SK4108
2009-09-29
4
Vth Tc
RDS (ON) Tc
0
1.0
0.2
0.6
0.4
40
80
160
0
40
120
80
IDR VDS
PD Tc
200
50
100
150
0
80
40
160
120
500
0
300
200
0
40
60
20
0
20
0.8
100
0.1
100
1000
1
10
10000
80
100
0.2
0
0.4
0.6
1.2
0.1
1
100
10
Common source
Tc
= 25°C
Pulse Test
VGS = 0 V
1
10
5
3
0.8
1.0
0
80
0
40
80
120
160
40
1
2
3
4
5
Common source
VDS = 10 V
ID = 1mA
Pulse Test
200
10
Case temperature Tc (°C)
Gate
th
resh
old
vol
tage
V
th
(V)
Case temperature Tc (°C)
Total gate charge Qg (nC)
C
ap
aci
ta
nc
e
C
(p
F
)
Capacitance – VDS
Drain-source voltage VDS (V)
Drain-
sou
rce
O
N
re
sis
tan
ce
R
DS
(ON)
(
Ω
)
Case temperature Tc (°C)
Drain
re
ver
se
cur
re
nt
I DR
(A)
Drain-source voltage VDS (V)
Drain
po
wer
di
ssip
ation
P
D
(W)
Drain-
sou
rce
volt
ag
e
V
DS
(V)
Dynamic input / output
characteristics
Gate-
sour
ce
volt
ag
e
V
GS
(V)
VDD = 100V
200V
400V
VDS
VGS
Common source
ID = 20 A
Ta
= 25°C
Pulse Test
ID = 20A
10
5
Common source
VGS = 10 V
Pulse Test
400
100
4
8
12
16
120
Ciss
Coss
Crss
1.4
Common source
VGS = 0 V
f
= 1 MHz
Tc
= 25°C
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