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参数资料
| 型号： | 2ST5949 |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 17 A, 250 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3 |
| 封装： | ROHS COMPLIANT PACKAGE-2 |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 135K |
| 代理商： | 2ST5949 |
2ST5949
Electrical characteristics
3/8
2
Electrical characteristics
(Tcase = 25 °C; unless otherwise specified)
Table 4.
Electrical characteristics
Symbol
Parameter
Test conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
ICBO
Collector cut-off current
(IE = 0)
VCB = 250 V
5
A
IEBO
Emitter cut-off current
(IC = 0)
VEB = 6 V
5
A
V(BR)CEO
(1) Collector-emitter
breakdown voltage (IB = 0)
IC = 50 mA
250
V
V(BR)CBO
Collector-base breakdown
voltage (IE = 0)
IC = 100 A
250
V
V(BR)EBO
(1) Emitter-base breakdown
voltage (IC = 0)
IE = 1 mA
6
V
VCE(sat)
(1) Collector-emitter
saturation voltage
IC = 8 A
IB = 800 mA
3
V
VBE
(1)
Base-emitter voltage
IC = 7 A
VCE = 5 V
1.5
V
hFE
DC current gain
IC = 1 A
VCE = 5 V
IC = 7 A
VCE = 5 V
80
35
160
fT
Transition frequency
IC = 1 A
VCE = 5 V
25
MHz
1.
Pulsed duration = 300 s, duty cycle
≤ 1.5%
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