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参数资料
| 型号： | 2STF2550 |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 5 A, 50 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封装： | ROHS COMPLIANT PACKAGE-3 |
| 文件页数： | 1/8页 |
| 文件大小： | 189K |
| 代理商： | 2STF2550 |
Preliminary Data
This is preliminary information on a new product now in development or undergoing evaluation. Details are subject to
change without notice.
November 2008
Rev 1
1/8
8
2STF2550
2STN2550
Low voltage high performance PNP power transistors
Features
■ Very low collector-emitter saturation voltage
■ High current gain characteristic
■ Fast switching speed
■ Surface mounting devices in medium power
SOT-89 and SOT-223 packages
Applications
■ Emergency lighting
■ LED
■ Motherboard and hard disk drive
■ Mobile equipment
■ Battery charger
■ Voltage regulation
Description
The 2STF2550 and 2STN2550 are PNP
transistors manufactured using new “PB-HCD”
(Power bipolar high current density) technology.
The resulting transistor shows exceptional high
gain performances coupled with very low
saturation voltage.
Figure 1.
Internal schematic diagram
SOT-89
1
2
4
3
SOT-223
4
3
2
1
Table 1.
Device summary
Order codes
Marking
Package
Packaging
2STF2550
2550
SOT-89
Tape and reel
2STN2550
N2550
SOT-223
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2STL1360 | 3 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-92 |
| 2STR2160 | 1000 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2STR2215 | 1500 mA, 15 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2STW1693 | 6 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-247 |
| 2STX2360 | 3000 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2STL1360 | 功能描述:两极晶体管 - BJT LoVltg FastSwtch npn Pwr bipolar trans RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2STL1360_09 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:Low voltage fast-switching NPN power transistors |
| 2STL1525 | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Trans PB-HCD 25V VCEO 5A IC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2STL1525-AP | 功能描述:两极晶体管 - BJT 25V Vceo 5A NPN High Gain Switching RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2STL2580 | 功能描述:两极晶体管 - BJT High Volt NPN Trans 800V Vces 400V Vceo RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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