收藏本站
参数资料
型号： 2STF2550
厂商： STMICROELECTRONICS
元件分类： 功率晶体管
英文描述： 5 A, 50 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
封装： ROHS COMPLIANT PACKAGE-3
文件页数： 7/8页
文件大小： 189K
代理商： 2STF2550
2STF2550 - 2STN2550
Revision history
7/8
4
Revision history
Table 5.
Document revision history
Date
Revision
Changes
12-Nov-2008
1
Initial release
相关PDF资料
PDF描述
2STL1360 3 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-92
2STR2160 1000 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2STR2215 1500 mA, 15 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2STW1693 6 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-247
2STX2360 3000 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
相关代理商/技术参数
参数描述
2STL1360 功能描述:两极晶体管 - BJT LoVltg FastSwtch npn Pwr bipolar trans RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2STL1360_09 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:Low voltage fast-switching NPN power transistors
2STL1525 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Trans PB-HCD 25V VCEO 5A IC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2STL1525-AP 功能描述:两极晶体管 - BJT 25V Vceo 5A NPN High Gain Switching RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2STL2580 功能描述:两极晶体管 - BJT High Volt NPN Trans 800V Vces 400V Vceo RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*