- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录50007 > 2STC2510 (STMICROELECTRONICS) 25 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR PDF资料下载
参数资料
| 型号： | 2STC2510 |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 25 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, TO-3P, 3 PIN |
| 文件页数： | 1/8页 |
| 文件大小： | 145K |
| 代理商： | 2STC2510 |
November 2008
Rev 3
1/8
8
2STC2510
High power NPN epitaxial planar bipolar transistor
Features
■ High breakdown voltage VCEO = 100 V
■ Complementary to 2STA2510
■ Typical ft = 20 MHz
■ Fully characterized at 125 oC
Application
■ Audio power amplifier
Description
The device is a NPN transistor manufactured
using new BiT-LA (Bipolar transistor for linear
amplifier) technology. The resulting transistor
shows good gain linearity behaviour.
Table 1.
Device summary
Figure 1.
Internal schematic diagram
TO-3P
1
2
3
Order code
Marking
Package
Packaging
2STC2510
TO-3P
Tube
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2STC4467 | 8 A, 120 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2STF2340 | 3 A, 40 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2STF2550 | 5 A, 50 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2STL1360 | 3 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-92 |
| 2STR2160 | 1000 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2STC4467 | 功能描述:两极晶体管 - BJT High power NPN Bipolar transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2STC4468 | 功能描述:两极晶体管 - BJT High Pwr PNP BiPolar Trans RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2STC4793 | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Power 230V 100 MHz 2STA1837 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2STC5200 | 功能描述:两极晶体管 - BJT High Pwr PNP BiPolar Trans RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2STC5242 | 功能描述:两极晶体管 - BJT High PWR NPN 230V 30 MHz 2STA1962 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。