参数资料
型号: 2STC2510
厂商: STMICROELECTRONICS
元件分类: 功率晶体管
英文描述: 25 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封装: ROHS COMPLIANT, TO-3P, 3 PIN
文件页数: 3/8页
文件大小: 145K
代理商: 2STC2510
2STC2510
Electrical characteristics
3/8
2
Electrical characteristics
(Tcase = 25 °C; unless otherwise specified)
Table 4.
Electrical characteristics
Symbol
Parameter
Test conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
ICBO
Collector cut-off current
(IE = 0)
VCB = 100 V
10
A
IEBO
Emitter cut-off current
(IC = 0)
VEB = 6 V
10
A
V(BR)CEO
(1)
1.
Pulsed duration = 300 s, duty cycle
≤ 1.5 %
Collector-emitter breakdown
voltage (IB = 0)
IC = 50 mA
100
V
V(BR)CBO
Collector-base breakdown
voltage (IE = 0)
IC = 100 A
100
V
V(BR)EBO
(1)
Emitter-base breakdown
voltage (IC = 0)
IE = 1 mA
6V
VCE(sat)
(1)
Collector-emitter saturation
voltage
IC = 12 A
IB = 1.2 A
1.5
V
VBE
(1)
Base-emitter voltage
VCE = 4 V
IC = 12 A
1.8
V
hFE
DC current gain
IC = 12 A
VCE = 4 V
40
80
fT
Transition frequency
IC = 0.5 A
VCE = 12 V
20
MHz
相关PDF资料
PDF描述
2STC4467 8 A, 120 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2STF2340 3 A, 40 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
2STF2550 5 A, 50 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
2STL1360 3 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-92
2STR2160 1000 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
相关代理商/技术参数
参数描述
2STC4467 功能描述:两极晶体管 - BJT High power NPN Bipolar transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2STC4468 功能描述:两极晶体管 - BJT High Pwr PNP BiPolar Trans RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2STC4793 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Power 230V 100 MHz 2STA1837 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2STC5200 功能描述:两极晶体管 - BJT High Pwr PNP BiPolar Trans RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2STC5242 功能描述:两极晶体管 - BJT High PWR NPN 230V 30 MHz 2STA1962 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2