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参数资料
| 型号： | 2STA1943 |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 15 A, 230 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-264AA |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, SC08810, 3 PIN |
| 文件页数： | 1/9页 |
| 文件大小： | 188K |
| 代理商： | 2STA1943 |
December 2007
Rev 2
1/9
9
Features
■ High breakdown voltage VCEO > -230V
■ Complementary to 2STC5200
■ Fast-switching speed
■ Typical fT = 30 MHz
Application
■ Audio power amplifier
Description
This device is a NPN transistor manufactured
using new BiT-LA (Bipolar Transistor for linear
amplifier) technology. The resulting transistor
shows good gain linearity behaviour.
Figure 1.
Internal schematic diagram
Table 1.
Device summary
TO-264
1
2
3
Order code
Marking
Package
Packaging
2STA1943
TO-264
Tube
2STA1943
High power PNP epitaxial planar bipolar transistor
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2STC5200 | 15 A, 230 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-264AA |
| 2STC5948 | 17 A, 250 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2STF1360 | 3 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2STN1360 | 3 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2STD1360T4 | 3 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2STA1962 | 功能描述:两极晶体管 - BJT High Pwr PNP BiPolar Trans RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2STA2120 | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP Power Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2STA2121 | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP Power Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2STA2510 | 功能描述:两极晶体管 - BJT High power PNP Bipolar transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2STB121PM | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:DRIVE IC |
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