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参数资料
| 型号： | 2STF1360 |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 3 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封装： | ROHS COMPLIANT PACKAGE-3 |
| 文件页数： | 1/11页 |
| 文件大小： | 276K |
| 代理商： | 2STF1360 |
October 2009
Doc ID 11783 Rev 2
1/11
11
2STD1360
2STF1360 - 2STN1360
Low voltage fast-switching NPN power transistors
Features
■ Very low collector-emitter saturation voltage
■ High current gain characteristic
■ Fast-switching speed
Applications
■ Emergency lighting
■ LED
■ Voltage regulation
■ Relay drive
Description
The devices are NPN transistors manufactured
using new “PB-HDC” (power bipolar high density
current) technology. The resulting transistor
shows exceptional high gain performances
coupled with very low saturation voltage.
The complementary PNP types are the
2STD2360T4, the 2STF2360 and the 2STN2360.
Figure 1.
Internal schematic diagram
TO-252 (DPAK)
4
3
2
1
2
4
3
1
3
SOT-223
SOT-89
TAB
Table 1.
Device summary
Order codes
Marking
Packages
Packaging
2STD1360T4
D1360
DPAK
Tape and reel
2STF1360
1360
SOT-89
Tape and reel
2STN1360
N1360
SOT-223
Tape and reel
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2STN1360 | 3 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2STD1360T4 | 3 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252 |
| 2STF1550 | 5 A, 50 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2STN5551 | 0.6 A, 160 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2STP535FP | 8 A, 180 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2STF1525 | 功能描述:TRANS NPN 25V 5A SOT-89 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:1A 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2STF1550 | 功能描述:两极晶体管 - BJT LO VLT HI PRM PW TRN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2STF1550_08 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:Low voltage high performance NPN power transistors |
| 2STF2220 | 功能描述:两极晶体管 - BJT Hi gain Lo Vltg PNP Pwr transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2STF2220_07 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:High gain Low Voltage PNP power transistor |
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