参数资料
型号: 2STF1360
厂商: STMICROELECTRONICS
元件分类: 功率晶体管
英文描述: 3 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封装: ROHS COMPLIANT PACKAGE-3
文件页数: 8/11页
文件大小: 276K
代理商: 2STF1360
Package mechanical data
2STD1360, 2STF1360, 2STN1360
6/11
Doc ID 11783 Rev 2
3
Package mechanical data
In order to meet environmental requirements, ST offers these devices in different grades of
ECOPACK packages, depending on their level of environmental compliance. ECOPACK
specifications, grade definitions and product status are available at: www.st.com.
ECOPACK is an ST trademark.
相关PDF资料
PDF描述
2STN1360 3 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2STD1360T4 3 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252
2STF1550 5 A, 50 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2STN5551 0.6 A, 160 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2STP535FP 8 A, 180 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
相关代理商/技术参数
参数描述
2STF1525 功能描述:TRANS NPN 25V 5A SOT-89 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)(最大):1A 电压 - 集电极发射极击穿(最大):30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):200mV @ 100mA,1A 电流 - 集电极截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3(TO-236) 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR
2STF1550 功能描述:两极晶体管 - BJT LO VLT HI PRM PW TRN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2STF1550_08 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:Low voltage high performance NPN power transistors
2STF2220 功能描述:两极晶体管 - BJT Hi gain Lo Vltg PNP Pwr transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2STF2220_07 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:High gain Low Voltage PNP power transistor