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参数资料
| 型号： | 2STF1360 |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 3 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封装： | ROHS COMPLIANT PACKAGE-3 |
| 文件页数： | 4/11页 |
| 文件大小： | 276K |
| 代理商： | 2STF1360 |
Absolute maximum ratings
2STD1360, 2STF1360, 2STN1360
2/11
Doc ID 11783 Rev 2
1
Absolute maximum ratings
Table 2.
Absolute maximum ratings
Symbol
Parameter
Value
Unit
2STD1360 2STF1360 2STN1360
DPAK
SOT-89
SOT-223
VCBO
Collector-base voltage
(IE = 0)
80
V
VCEO
Collector-emitter voltage (IB = 0)
60
V
VEBO
Emitter-base voltage
(IC = 0)
6
V
IC
Collector current
3
A
ICM
Collector peak current (tP < 5 ms)
5
A
IB
Base current
0.2
A
IBM
Base peak current (tP < 5 ms)
0.4
A
PTOT
Total dissipation at Tamb = 25 °C
15
1.4
1.6
W
Tstg
Storage temperature
-65 to 150
°C
TJ
Max. operating junction temperature
150
°C
Table 3.
Thermal data
Symbol
Parameter
DPAK
SOT-89
SOT-223
Unit
RthJA
(1)
1.
Device mounted on a PCB area of 1 cm2
Thermal resistance junction-ambient ___ _Max
8.3
89
78
°C/W
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2STN1360 | 3 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
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| 2STN5551 | 0.6 A, 160 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| 2STF1550 | 功能描述:两极晶体管 - BJT LO VLT HI PRM PW TRN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2STF1550_08 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:Low voltage high performance NPN power transistors |
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| 2STF2220_07 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:High gain Low Voltage PNP power transistor |
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