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参数资料
| 型号： | 2STC4793 |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 1 A, 230 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, TO-220FP, 3 PIN |
| 文件页数： | 1/7页 |
| 文件大小： | 136K |
| 代理商： | 2STC4793 |
Preliminary data
This is preliminary information on a new product now in development or undergoing evaluation. Details are subject to
change without notice.
March 2010
Doc ID 15401 Rev 2
1/7
7
2STC4793
NPN power bipolar transistor
Features
■ High breakdown voltage VCEO = 230 V
■ Complementary to 2STA1837
■ High transition frequency, typical fT = 100 MHz
Applications
■ Audio power amplifier
■ Drive stage amplifier
Description
This device is a NPN transistor manufactured
using new “PB-HDC” (power bipolar high density
current) technology. The resulting transistor
shows good gain linearity behavior.
Figure 1.
Internal schematic diagram
1
2
3
TO-220FP
Table 1.
Device summary
Order code
Marking
Package
Packaging
2STC4793
TO-220FP
Tube
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2STR1215 | 1500 mA, 15 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 40-01/G4C-AQSB | SINGLE COLOR LED, BRILLIANT GREEN |
| 40-25AUWD/TR8 | SINGLE COLOR LED, WHITE, 5 mm |
| 4000-2-1303-007 | SINGLE COLOR LED |
| 4000-2-1315-001 | SINGLE COLOR LED |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2STC5200 | 功能描述:两极晶体管 - BJT High Pwr PNP BiPolar Trans RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2STC5242 | 功能描述:两极晶体管 - BJT High PWR NPN 230V 30 MHz 2STA1962 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2STC5948 | 功能描述:两极晶体管 - BJT High PWR NPN planar bipolar trans RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2STC5948_0807 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:High power NPN epitaxial planar bipolar transistor |
| 2STC5949 | 功能描述:两极晶体管 - BJT High PWR NPN planar bipolar trans RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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