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参数资料
| 型号： | 2STR1215 |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 1500 mA, 15 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | PLASTIC PACKAGE-3 |
| 文件页数： | 1/9页 |
| 文件大小： | 178K |
| 代理商： | 2STR1215 |
January 2009
Rev 4
1/9
9
2STR1215
Low voltage fast-switching NPN power transistor
Features
■ Very low collector-emitter saturation voltage
■ High current gain characteristic
■ Fast switching speed
■ Miniature SOT-23 plastic package for surface
mounting circuits
Applications
■ LED
■ Battery charger
■ Voltage and relay driver
■ Voltage regulation
Description
The 2STR1215 is a NPN transistor manufactured
using new “PB-HCD” (power bipolar high current
density) technology. The resulting transistor
shows exceptional high gain performances
coupled with very low saturation voltage.
The complementary PNP is the 2STR2215.
Figure 1.
Internal schematic diagram
SOT-23
1
3
2
Table 1.
Device summary
Order code
Marking
Package
Packaging
2STR1215
115
SOT-23
Tape and reel
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 40-01/G4C-AQSB | SINGLE COLOR LED, BRILLIANT GREEN |
| 40-25AUWD/TR8 | SINGLE COLOR LED, WHITE, 5 mm |
| 4000-2-1303-007 | SINGLE COLOR LED |
| 4000-2-1315-001 | SINGLE COLOR LED |
| 4000-2-1315-014 | SINGLE COLOR LED |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2STR1215_08 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:Low voltage fast-switching NPN power transistor |
| 2STR1230 | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN power transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2STR1240 | 功能描述:TRANS NPN 40V 1.5A SOT23 制造商:stmicroelectronics 系列:* 零件状态:有效 标准包装:3,000 |
| 2STR2160 | 功能描述:两极晶体管 - BJT LOW VOLTAGE FAST SWITCHING PNP POWER RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2STR2215 | 功能描述:两极晶体管 - BJT Lo Vltg FAST SWITCH Hi GAIN PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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