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参数资料
| 型号： | 2STR1215 |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 1500 mA, 15 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | PLASTIC PACKAGE-3 |
| 文件页数： | 3/9页 |
| 文件大小： | 178K |
| 代理商： | 2STR1215 |
2STR1215
Electrical characteristics
3/9
2
Electrical characteristics
(Tcase = 25°C unless otherwise specified)
1.
Pulsed duration = 300 s, duty cycle
≤1.5%
Table 4.
Electrical characteristics
Symbol
Parameter
Test conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
ICBO
Collector cut-off current
(IE =0)
VCB = 15 V
0.1
A
IEBO
Emitter cut-off current
(IC =0)
VEB = 4 V
0.1
A
V(BR)CBO
Collector-base
breakdown voltage
(IE = 0)
IC = 100 A
15
V
V(BR)CEO
(1)
Collector-emitter
breakdown voltage
(IB = 0)
IC = 10 mA
15
V
V(BR)EBO
Emitter-base breakdown
voltage (IC = 0)
IE = 100 A
5V
VCE(sat)
(1)
Collector-emitter
saturation voltage
IC = 0.1 A
IB = 1mA
IC = 1 A
IB = 100 mA
IC = 2 A
IB = 200 mA
0.25
0.4
0.15
0.5
0.85
V
VBE(sat)
(1)
Base-emitter saturation
voltage
IC = 1 A
IB = 100 mA
0.9
1.25
V
hFE
(1)
DC current gain
IC = 50 mA
VCE = 2 V
IC = 0.5 A
VCE = 2 V
IC = 1 A
VCE = 2 V
IC = 2 A
VCE = 2 V
200
130
80
280
560
CCBO
Collector-base
capacitance (IE = 0 )
VCB = 10 V
f = 1 MHz
16
pF
ton
toff
Resistive load
Turn-on time
Turn-off time
IC = 1.5 A
VCC = 10 V
IB1 = -IB2 = 150 mA
60
310
ns
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