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参数资料
| 型号： | 2STC4793 |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 1 A, 230 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, TO-220FP, 3 PIN |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 136K |
| 代理商： | 2STC4793 |
2STC4793
Electrical characteristics
Doc ID 15401 Rev 2
3/7
2
Electrical characteristics
Tcase = 25 °C unless otherwise specified.
Table 4.
Electrical characteristics
Symbol
Parameter
Test conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
ICBO
Collector cut-off current
(IE = 0)
VCB = 230 V
1
A
IEBO
Emitter cut-off current
(IC = 0)
VEB = 5 V
1
A
V(BR)CEO
(1)
1.
Pulse test: pulse duration
≤ 300 s, duty cycle ≤ 2 %
Collector-emitter breakdown
voltage (IB = 0)
IC = 10 mA
230
V
V(BR)CBO
Collector-base breakdown
voltage (IE = 0)
IC = 100 A
230
V
V(BR)EBO
(1) Emitter-base breakdown
voltage (IC = 0)
IE = 1 mA
5
V
VCE(sat)
(1)
Collector-emitter saturation
voltage
IC = 0.5 A
IB = 50 mA
1
V
VBE
Base-emitter voltage
IC = 0.5 A
VCE = 5 V
1
V
hFE
DC current gain
IC = 0.1 A
VCE = 5 V
100
320
fT
Transition frequency
IC = 0.1 A
VCE = 10 V
100
MHz
CCBO
Collector-base capacitance
(IE = 0)
VCB = 10 V
f = 1 MHz
20
pF
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