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参数资料
| 型号： | 2STC5200 |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 15 A, 230 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-264AA |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, SC06960, 3 PIN |
| 文件页数： | 3/9页 |
| 文件大小： | 182K |
| 代理商： | 2STC5200 |
2STC5200
Electrical characteristics
3/9
2
Electrical characteristics
(Tcase = 25°C unless otherwise specified)
Table 4.
Electrical characteristics
Symbol
Parameter
Test conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
ICBO
Collector cut-off current
(IE = 0)
VCB = 230 V
5A
IEBO
Emitter cut-off current
(IC = 0)
VEB = 5 V
5A
V(BR)CEO
(1)
1.
Pulsed: pulse duration = 300 s, duty cycle < 1.5%
Collector-emitter breakdown
voltage (IB = 0)
IC = 50 mA
230
V
V(BR)CBO
Collector-base breakdown
voltage (IE = 0)
IC = 100 A
230
V
V(BR)EBO
(1) Emitter-base breakdown
voltage (IC = 0)
IE = 1 mA
5V
VCE(sat)
(1)
Collector-emitter saturation
voltage
IC = 8 A
IB = 800 mA
3V
VBE
Base-emitter voltage
IC = 7 A
VCE = 5 V
1.5
V
hFE
DC current gain
IC = 1 A
VCE = 5 V
IC = 7 A
VCE = 5 V
80
35
160
ton
ts
tf
Resistive load
Turn-on time
Storage time
Fall time
VCC = 60 V IC = 5A
IB1= -IB2 = 0.5 A
0.24
4.7
0.6
s
fT
Transition frequency
IC = 1 A
VCE = 5 V
30
MHz
CCBO
Collector-base capacitance
(IE = 0)
VCB = 10 V f = 1 MHz
150
pF
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