参数资料
型号: 2STF2340
厂商: STMICROELECTRONICS
元件分类: 功率晶体管
英文描述: 3 A, 40 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
封装: ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-4
文件页数: 10/10页
文件大小: 261K
代理商: 2STF2340
2STF2340, 2STN2340
Revision history
Doc ID 14222 Rev 2
9/10
4
Revision history
Table 5.
Document revision history
Date
Revision
Changes
04-Dec-2007
1
Initial release.
19-Oct-2009
2
Inserted 2STN2340 in SOT-223 package.
相关PDF资料
PDF描述
2STF2550 5 A, 50 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
2STL1360 3 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-92
2STR2160 1000 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2STR2215 1500 mA, 15 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2STW1693 6 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-247
相关代理商/技术参数
参数描述
2STF2360 功能描述:两极晶体管 - BJT Lo Vltg fast switch pnp Pwr transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2STF2550 功能描述:两极晶体管 - BJT LV high performance PNP power transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2STL1360 功能描述:两极晶体管 - BJT LoVltg FastSwtch npn Pwr bipolar trans RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2STL1360_09 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:Low voltage fast-switching NPN power transistors
2STL1525 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Trans PB-HCD 25V VCEO 5A IC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2