参数资料
型号: 2STL1360
厂商: STMICROELECTRONICS
元件分类: 功率晶体管
英文描述: 3 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-92
封装: ROHS COMPLIANT PACKAGE-3
文件页数: 6/10页
文件大小: 619K
代理商: 2STL1360
2STL1360, 2STX1360
Electrical characteristics
Doc ID 11763 Rev 3
5/10
2.2
Test circuit
Figure 9.
Resistive load switching test circuit
1.
Fast electronic switch
2.
Non-inductive resistor
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PDF描述
2STR2160 1000 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2STR2215 1500 mA, 15 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2STW1693 6 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-247
2STX2360 3000 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
2WX03101-1801-4F PCB CONNECTOR
相关代理商/技术参数
参数描述
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2STL1525 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Trans PB-HCD 25V VCEO 5A IC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2STL1525-AP 功能描述:两极晶体管 - BJT 25V Vceo 5A NPN High Gain Switching RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2STL2580 功能描述:两极晶体管 - BJT High Volt NPN Trans 800V Vces 400V Vceo RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2STN1360 功能描述:两极晶体管 - BJT LOW VOLTAGE FAST SWITCHING NPN POWER RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2