型号: | 2STL1360 |
厂商: | STMICROELECTRONICS |
元件分类: | 功率晶体管 |
英文描述: | 3 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-92 |
封装: | ROHS COMPLIANT PACKAGE-3 |
文件页数: | 9/10页 |
文件大小: | 619K |
代理商: | 2STL1360 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
---|---|
2STR2160 | 1000 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
2STR2215 | 1500 mA, 15 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
2STW1693 | 6 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-247 |
2STX2360 | 3000 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
2WX03101-1801-4F | PCB CONNECTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
---|---|
2STL1360_09 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:Low voltage fast-switching NPN power transistors |
2STL1525 | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Trans PB-HCD 25V VCEO 5A IC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
2STL1525-AP | 功能描述:两极晶体管 - BJT 25V Vceo 5A NPN High Gain Switching RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
2STL2580 | 功能描述:两极晶体管 - BJT High Volt NPN Trans 800V Vces 400V Vceo RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
2STN1360 | 功能描述:两极晶体管 - BJT LOW VOLTAGE FAST SWITCHING NPN POWER RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |