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参数资料
| 型号： | 4AK16 |
| 厂商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon N-Channel Power MOS FET Array |
| 中文描述： | 硅N沟道功率MOS场效应管阵列 |
| 文件页数： | 2/9页 |
| 文件大小： | 50K |
| 代理商： | 4AK16 |
4AK16
2
Outline
SP-10
2 G
1 S
4
G
6
G
8
G
3
D
5
D
7
D
9
D
S 10
1, 10.
Source
2, 4, 6, 8. Gate
3, 5, 7, 9. Drain
1
2
3
4 5
6
7 8
9
10
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C) (1 Unit)
Item
Symbol
Rating
Unit
Drain to source voltage
V
DSS
60
V
Gate to source voltage
V
GSS
±20
V
Drain current
I
D
5A
Drain peak current
I
D(pulse)*
1
20
A
Body to drain diode reverse drain current
I
DR
5A
Channel dissipation
Pch (Tc = 25
°C)*2 28
W
Channel dissipation
Pch*
2
4W
Channel temperature
Tch
150
°C
Storage temperature
Tstg
–55 to +150
°C
Notes: 1. PW
≤ 10 s, duty cycle ≤ 1%
2. 4 devices operation
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| 4AK19 | 制造商:HITACHI 制造商全称:Hitachi Semiconductor 功能描述:Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |
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