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参数资料
| 型号： | 4AK16 |
| 厂商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon N-Channel Power MOS FET Array |
| 中文描述： | 硅N沟道功率MOS场效应管阵列 |
| 文件页数： | 7/9页 |
| 文件大小： | 50K |
| 代理商： | 4AK16 |
4AK16
7
Switching Characteristics
Switching
Time
t
(ns)
500
200
100
50
20
10
5
0.1
0.2
0.5
1.0
2
10
Drain Current ID (A)
5
td (off)
tf
tr
td (on)
VGS = 10 V VDD = 30 V
PW = 2
s, duty < 1 %
20
16
12
8
4
0
0.4
1.2
1.6
2.0
Source to Drain Voltage VSD (V)
0.8
Reverse Drain Current vs.
Source to Drain Voltage
Reverse
Drain
Current
I
DR
(A)
VGS = 0, – 5 V
Pulse Test
10 V
15 V
5 V
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| 4AK20 | 制造商:HITACHI 制造商全称:Hitachi Semiconductor 功能描述:Silicon N-Channel Power MOS FET Array |
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