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参数资料
| 型号： | 4AM16 |
| 厂商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon N-Channel/P-Channel Power MOS FET Array(N沟道/P沟道功率MOSFET阵列) |
| 中文描述： | 硅N-Channel/P-Channel功率MOS FET阵列（不适用沟道/页沟道功率MOSFET的阵列） |
| 文件页数： | 5/7页 |
| 文件大小： | 48K |
| 代理商： | 4AM16 |
4AM16
5
6
5
4
3
2
1
0
Collector
Power
Dissipation
Pc
(W)
50
100
150
125
Ambient Temperature
Tc (°C)
75
25
4 Device Operation
3 Device Operation
2 Device Operation
1 Device Operation
each die is is idetical
Condition : Channel dissipation of
Maximum Channel Dissipation Curve
30
20
10
0
Collector
Power
Dissipation
Pc
(W)
50
100
150
125
Case Temperature
Tc (°C)
75
25
4 Device Operation
3 Device Operation
2 Device Operation
1 Device Operation
each die is is idetical
Condition : Channel dissipation of
Maximum Channel Dissipation Curve
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参数描述 |
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