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参数资料
| 型号： | 4MBI100T-060 |
| 厂商： | FUJI ELECTRIC CO LTD |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 英文描述： | 4MBI100T-060 |
| 中文描述： | 100 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封装： | MODULE-24 |
| 文件页数： | 2/14页 |
| 文件大小： | 622K |
| 代理商： | 4MBI100T-060 |
H04-004-03
14
MS5F 5431
a
b
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8V
10V
12V
15V
VGE= 20V
[ Inverter ]
Collector current vs. Collector-Emitter voltage
Tj= 25C (typ.)
C
ol
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ct
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cu
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en
t
:
Ic
[A
]
Collector - Emitter voltage : VCE [ V ]
0
1
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100
200
300
8V
10V
12V
15V
VGE= 20V
[ Inverter ]
Collector current vs. Collector-Emitter voltage
Tj= 125C (typ.)
Collector - Emitter voltage : VCE [ V ]
C
ol
le
ct
or
cu
rr
en
t
:
Ic
[A
]
0
1
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3
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5
0
100
200
300
Tj= 25C
Tj= 125C
[ Inverter ]
Collector current vs. Collector-Emitter voltage
VGE=15V (typ.)
Collector - Emitter voltage : VCE [ V ]
C
ol
le
ct
or
cu
rr
en
t
:
Ic
[A
]
5
10
15
20
25
0
2
4
6
8
10
12
Ic=50A
Ic=100A
Ic=200A
[ Inverter ]
Collector-Emitter voltage vs. Gate-Emitter voltage
Tj= 25C (typ.)
C
ol
le
ct
or
-
E
m
itt
er
vo
lta
ge
:
V
C
E
[V
]
Gate - Emitter voltage : VGE [ V ]
0
5
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15
20
25
30
35
200
1000
5000
10000
20000
[ Inverter ]
Capacitance vs. Collector-Emitter voltage (typ.)
VGE=0V, f= 1MHz, Tj= 25C
C
ap
ac
ita
nc
e
:
C
ie
s,
C
oe
s,
C
re
s
[p
F
]
Collector - Emitter voltage : VCE [ V ]
Coes
Cres
Cies
0
100
200
300
400
500
600
0
100
200
300
400
500
[ Inverter ]
Dynamic Gate charge (typ.)
Vcc=300V, Ic=100A, Tj= 25C
Gate charge : Qg [ nC ]
C
ol
le
ct
or
-
E
m
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vo
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:
V
C
E
[V
]
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25
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E
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itt
er
vo
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ge
:
V
G
E
[V
]
10
b
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PDF描述 |
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