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参数资料
| 型号： | 4N25-X006 |
| 厂商： | Vishay Intertechnology,Inc. |
| 元件分类： | 电容 |
| 英文描述： | Tantalum Chip Capacitor |
| 中文描述： | 钽芯片电容器 |
| 文件页数： | 3/9页 |
| 文件大小： | 157K |
| 代理商： | 4N25-X006 |
4N25/ 4N26/ 4N27/ 4N28
Document Number 83725
Rev. 1.4, 26-Jan-05
Vishay Semiconductors
www.vishay.com
3
Electrical Characteristics
Tamb = 25 °C, unless otherwise specified
Minimum and maximum values are testing requirements. Typical values are characteristics of the device and are the result of engineering
evaluation. Typical values are for information only and are not part of the testing requirements.
Input
1) Indicates JEDEC registered values
Output
1) Indicates JEDEC registered values
Coupler
1) Indicates JEDEC registered values
Current Transfer Ratio
1) Indicates JEDEC registered value
Parameter
Test condition
Symbol
Min
Typ.
Max
Unit
Forward voltage1)
IF = 50 mA
VF
1.3
1.5
V
Reverse current1)
VR = 3.0 V
IR
0.1
100
A
Capacitance
VR = 0 V
CO
25
pF
Parameter
Test condition
Part
Symbol
Min
Typ.
Max
Unit
Collector-base breakdown
voltage1)
IC = 100 ABVCBO
70
V
Collector-emitter breakdown
voltage1)
IC = 1.0 mA
BVCEO
30
V
Emitter-collector breakdown
voltage1)
IE = 100 ABVECO
7.0
V
ICEO(dark)
1)
VCE = 10 V, (base open)
4N25
5.0
50
nA
4N26
5.0
50
nA
4N27
5.0
50
nA
4N28
10
100
nA
ICBO(dark)
1)
VCB = 10 V, (emitter open)
2.0
20
nA
Collector-emitter capacitance
VCE = 0
CCE
6.0
pF
Parameter
Test condition
Part
Symbol
Min
Typ.
Max
Unit
Isolation voltage1)
Peak, 60 Hz
4N25
VIO
2500
V
4N26
VIO
1500
V
4N27
VIO
1500
V
4N28
VIO
500
V
Saturation voltage, collector-
emitter
ICE = 2.0 mA, IF = 50 mA
VCE(sat)
0.5
V
Resistance, input output1)
VIO = 500 V
RIO
100
G
Capacitance (input-output)
f = 1.0 MHz
CIO
0.5
pF
Parameter
Test condition
Part
Symbol
Min
Typ.
Max
Unit
DC Current Transfer Ratio1)
VCE = 10 V, IF = 10 mA
4N25
CTRDC
20
50
%
4N26
CTRDC
20
50
%
4N27
CTRDC
10
30
%
4N28
CTRDC
10
30
%
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 4N25-X007 | Tantalum Chip Capacitor |
| 4N25-X009 | Tantalum Chip Capacitor |
| 4N25GVSERIES | Dual/Triple Ultra-Low-Voltage SOT23 µP Supervisory Circuits |
| 4N25GV | Optocoupler with Phototransistor Output |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 4N25-X007 | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Optocoupler, Phototransistor Output, With Base Connection |
| 4N25-X007T | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 Phototransistor Out Single CTR>20% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
| 4N25-X009 | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 Phototransistor Out Single CTR>20% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
| 4N25-X009T | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 Phototransistor Out Single CTR>20% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
| 4N25-X016 | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 Phototransistor Out Single CTR>20% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
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