参数资料
型号: 4N25-X006
厂商: Vishay Intertechnology,Inc.
元件分类: 电容
英文描述: Tantalum Chip Capacitor
中文描述: 钽芯片电容器
文件页数: 6/9页
文件大小: 157K
代理商: 4N25-X006
www.vishay.com
6
Document Number 83725
Rev. 1.4, 26-Jan-05
4N25/ 4N26/ 4N27/ 4N28
Vishay Semiconductors
Figure 11. Normalized HFE vs. Base Current and Temp.
Figure 12. Propagation Delay vs. Collector Load Resistor
Figure 13. Switching Timing
i4n25_11
0.0
0.5
1.0
1.5
25°C
–20°C
50°C
70°C
NHFE(sat)
-
Normalized
Saturated
HFE
1
10
100
1000
Vce=10 V, Ib=20
A
TA=25°C
Vce=0.4 V
Ib - Base Current -
A
Normalized to:
i4n25_12
1
10
100
1000
RL - Collector Load Resistor - k
t PLH
-
P
ropagation
Delay
-
s
2.5
2.0
1.5
1.0
.1
1
10
100
IF =10 mA,TA=25°C
VCC=5.0 V, Vth=1.5 V
tPLH
tPHL
t PHL
-
P
ropagation
Delay
-
s
i4n25_13
IF
tR
=1.5 V
VO
tD
tS
tF
tPHL
tPLH
VTH
Figure 14. Switching Schematic
i4n25_14
VCC =5.0 V
F=10 KHz,
DF=50%
RL
VO
IF=1 0 mA
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4N25-X009 功能描述:晶体管输出光电耦合器 Phototransistor Out Single CTR>20% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk
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4N25-X016 功能描述:晶体管输出光电耦合器 Phototransistor Out Single CTR>20% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk