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参数资料
| 型号： | 4N32SVM |
| 厂商： | Fairchild Optoelectronics Group |
| 文件页数： | 2/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | OPTOCOUPLER PHOTODARL 6-SMD |
| 标准包装： | 1,000 |
| 通道数： | 1 |
| 输入类型： | DC |
| 电压 - 隔离： | 2500VDC |
| 电流传输比（最小值）： | 500% @ 10mA |
| 输出电压： | 30V |
| 电流 - 输出 / 通道： | 150mA |
| 电流 - DC 正向(If)： | 80mA |
| Vce饱和（最大）： | 1V |
| 输出类型： | 有基极的达林顿晶体管 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-SMD |
| 包装： | 管件 |
Absolute Maximum Ratings (T A = 25°C unless otherwise speci?ed.)
Stresses exceeding the absolute maximum ratings may damage the device. The device may not function or be
operable above the recommended operating conditions and stressing the parts to these levels is not recommended.
In addition, extended exposure to stresses above the recommended operating conditions may affect device reliability. The absolute
maximum ratings are stress ratings only.
Symbol
Parameter
Value
Units
TOTAL DEVICE
T STG
T OPR
T SOL
P D
Storage Temperature
Operating Temperature
Lead Solder Temperature (Wave)
Total Device Power Dissipation @ T A = 25°C
Derate above 25°C
-50 to +150
-40 to +100
260 for 10 sec
250
3.3
°C
°C
°C
mW
mW/°C
EMITTER
I F
V R
I F (pk)
P D
Continuous Forward Current
Reverse Voltage
Forward Current – Peak (300μs, 2% Duty Cycle)
LED Power Dissipation @ T A = 25°C
Derate above 25°C
80
3
3.0
150
2.0
mA
V
A
mW
mW/°C
DETECTOR
BV CEO
BV CBO
BV ECO
P D
I C
Collector-Emitter Breakdown Voltage
Collector-Base Breakdown Voltage
Emitter-Collector Breakdown Voltage
Detector Power Dissipation @ T A = 25°C
Derate above 25°C
Continuous Collector Current
30
30
5
150
2.0
150
V
V
V
mW
mW/°C
mA
?2007 Fairchild Semiconductor Corporation
4NXXM, H11B1M, TIL113M Rev. 1.0.3
2
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| WR-80SB-VF-N1 | CONN RECEPT 0.5MM 80POS SMD |
| 4N33TVM | OPTOCOUPLER PHOTODARL 6-DIP |
| 591637-2 | BRACKET GROUNDING MODULE |
| 4N33VM | PHOTOCOUPLER DARL OUT GP 6DIP |
| 4310R-101-203LF | RES ARRAY 20K OHM 9 RES 10-SIP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 4N32TM | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:General Purpose 6-Pin Photodarlington Optocoupler |
| 4N32TVM | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 Photodarlington RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
| 4N32V | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 Phototransistor Out Single CTR>500% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
| 4N32-V | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 Optocouplers RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
| 4N32VM | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 Photodarlington RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
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