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参数资料
| 型号： | 4N32SVM |
| 厂商： | Fairchild Optoelectronics Group |
| 文件页数： | 3/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | OPTOCOUPLER PHOTODARL 6-SMD |
| 标准包装： | 1,000 |
| 通道数： | 1 |
| 输入类型： | DC |
| 电压 - 隔离： | 2500VDC |
| 电流传输比（最小值）： | 500% @ 10mA |
| 输出电压： | 30V |
| 电流 - 输出 / 通道： | 150mA |
| 电流 - DC 正向(If)： | 80mA |
| Vce饱和（最大）： | 1V |
| 输出类型： | 有基极的达林顿晶体管 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-SMD |
| 包装： | 管件 |
Electrical Characteristics (T A = 25°C Unless otherwise speci?ed.)
Individual Component Characteristics
Symbol
Parameter
Test Conditions
Device
Min.
Typ.
Max.
Unit
EMITTER
V F
Input Forward Voltage*
I F = 10mA
4NXXM
1.2
1.5
V
H11B1M,
0.8
1.2
1.5
TIL113M
I R
Reverse Leakage Current*
V R = 3.0V
4NXXM
0.001
100
μA
V R = 6.0V
H11B1M,
0.001
10
TIL113M
C
Capacitance*
V F = 0V, f = 1.0MHz
All
150
pF
DETECTOR
BV CEO
Collector-Emitter Breakdown Voltage* I C = 1.0mA, I B = 0
4NXXM,
30
60
V
TIL113M
H11B1M
25
60
BV CBO
Collector-Base Breakdown Voltage*
I C = 100μA, I E = 0
All
30
100
V
BV ECO
Emitter-Collector Breakdown Voltage* I E = 100μA, I B = 0
4NXXM
5.0
10
V
H11B1M,
TIL113M
7
10
I CEO
Collector-Emitter Dark Current*
V CE = 10V, Base Open
All
1
100
nA
Transfer Characteristics
Symbol
Parameter
Test Conditions
Device
Min.
Typ.
Max.
Unit
DC CHARACTERISTICS
I C(CTR)
Collector Output Current* (1, 2)
I F = 10mA, V CE = 10V,
4N32M,
50 (500)
mA (%)
I B = 0
4N33M
4N29M,
4N30M
10 (100)
I F = 1mA, V CE = 5V
I F = 10mA, V CE = 1V
H11B1M
TIL113M
5 (500)
30 (300)
V CE(SAT)
Saturation Voltage* (2)
I F = 8mA, I C = 2.0mA
4NXXM
1.0
V
TIL113M
1.25
AC CHARACTERISTICS
I F = 1mA, I C = 1mA
H11B1M
1.0
t on
Turn-on Time
I F = 200mA, I C = 50mA,
V CC = 10V, R L = 100 ?
4NXXM,
TIL113M
5.0
μs
I F = 10mA, V CE = 10V,
R L = 100 ?
H11B1M
25
t off
Turn-off Time
I F = 200mA, I C = 50mA,
V CC = 10V, R L = 100 ?
4N32M,
4N33M,
100
μs
TIL113M
4N29M,
4N30M
40
I F = 10mA, V CE = 10V,
R L = 100 ?
H11B1M
18
BW
Bandwidth (3, 4)
30
kHz
?2007 Fairchild Semiconductor Corporation
4NXXM, H11B1M, TIL113M Rev. 1.0.3
3
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| WR-80SB-VF-N1 | CONN RECEPT 0.5MM 80POS SMD |
| 4N33TVM | OPTOCOUPLER PHOTODARL 6-DIP |
| 591637-2 | BRACKET GROUNDING MODULE |
| 4N33VM | PHOTOCOUPLER DARL OUT GP 6DIP |
| 4310R-101-203LF | RES ARRAY 20K OHM 9 RES 10-SIP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 4N32TM | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:General Purpose 6-Pin Photodarlington Optocoupler |
| 4N32TVM | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 Photodarlington RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
| 4N32V | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 Phototransistor Out Single CTR>500% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
| 4N32-V | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 Optocouplers RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
| 4N32VM | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 Photodarlington RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
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