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参数资料
| 型号： | 4N32SVM |
| 厂商： | Fairchild Optoelectronics Group |
| 文件页数： | 6/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | OPTOCOUPLER PHOTODARL 6-SMD |
| 标准包装： | 1,000 |
| 通道数： | 1 |
| 输入类型： | DC |
| 电压 - 隔离： | 2500VDC |
| 电流传输比（最小值）： | 500% @ 10mA |
| 输出电压： | 30V |
| 电流 - 输出 / 通道： | 150mA |
| 电流 - DC 正向(If)： | 80mA |
| Vce饱和（最大）： | 1V |
| 输出类型： | 有基极的达林顿晶体管 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-SMD |
| 包装： | 管件 |
Typical Performance Curves (Continued)
1000
Fig. 7 Switching Speed vs. Load Resistor
5.0
Fig. 8 Normalized t on vs. R BE
100
I F = 10 mA
V CC = 10 V
T A = 25 ° C
4.5
4.0
V CC = 10 V
I C = 2 mA
R L = 100 ?
3.5
10
T off
T f
3.0
2.5
T on
2.0
1
0.1
T r
1.5
1.0
0.5
0.1
1
10
100
10
100
1000
10000
100000
1.4
1.3
1.2
1.1
1.0
R-LOAD RESISTOR (k ?)
Fig. 9 Normalized t off vs. R BE
10000
1000
100
R BE - BASE RESISTANCE (k ?)
Fig. 10 Dark Current vs. Ambient Temperature
V CE = 10 V
T A = 25 ° C
0.9
10
0.8
0.7
0.6
V CC = 10 V
1
0.5
0.4
0.3
0.2
I C = 2 mA
R L = 100 ?
0.1
0.01
0.1
10
100
1000
10000
100000
0.001
0
20
40
60
80
100
R BE - BASE RESISTANCE (k ?)
TEST CIRCUIT
T A - AMBIENT TEMPERATURE ( ° C)
WAVE FORMS
V CC = 10V
INPUT PULSE
I F
I C
R L
INPUT
R BE
OUTPUT
10%
90%
t r
t f
OUTPUT PULSE
t on
Adjust I F to produce I C = 2 mA
Figure 11. Switching Time Test Circuit and Waveforms
t off
?2007 Fairchild Semiconductor Corporation
4NXXM, H11B1M, TIL113M Rev. 1.0.3
6
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| WR-80SB-VF-N1 | CONN RECEPT 0.5MM 80POS SMD |
| 4N33TVM | OPTOCOUPLER PHOTODARL 6-DIP |
| 591637-2 | BRACKET GROUNDING MODULE |
| 4N33VM | PHOTOCOUPLER DARL OUT GP 6DIP |
| 4310R-101-203LF | RES ARRAY 20K OHM 9 RES 10-SIP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 4N32TM | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:General Purpose 6-Pin Photodarlington Optocoupler |
| 4N32TVM | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 Photodarlington RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
| 4N32V | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 Phototransistor Out Single CTR>500% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
| 4N32-V | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 Optocouplers RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
| 4N32VM | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 Photodarlington RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
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