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参数资料
| 型号： | 5SDD09D5800 |
| 厂商： | ABB SWITZERLAND LTD SEMICONDUCTORS |
| 元件分类： | 整流器 |
| 英文描述： | 845 A, 5800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 71K |
| 代理商： | 5SDD09D5800 |
5SDD 09D6000
TS - DV/261/08 Jul-10
1 of 5
5SDD 09D6000
Old part no. DV 827-850-60
High Voltage Diode
Properties
Key Parameters
§
Low forward voltage drop
VRRM
=
6 000
V
§
Low recovery charge
IFAVm
=
845
A
§
High operating temperature
IFSM
=
11 000 A
§
Low leakage current
VTO
=
0.893
V
rT
=
0.647
m
Applications
§
Rectifier bridges
Types
VRRM
5SDD 09D6000
5SDD 09D5800
6 000 V
5 800 V
Conditions:
Tj = -40 ÷ 150 °C,
half sine waveform,
f = 50 Hz
Mechanical Data
Fm
Mounting force
10 ± 2 kN
m
Weight
0.27 kg
DS
Surface creepage
distance
30 mm
Da
Air strike distance
20 mm
Fig. 1 Case
ABB s.r.o.
Novodvorska 1768/138a, 142 21 Praha 4, Czech Republic
tel.: +420 261 306 250, http://www.abb.com/semiconductors
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| 5SDD09D6000 | 845 A, 6000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 5SDD10T1800 | 1013 A, 1800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 5SDD10T1600 | 1013 A, 1600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 5SDD11T2800 | 1285 A, 2800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 5SDD11T2600 | 1285 A, 2600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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