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参数资料
| 型号： | 5SDD09D5800 |
| 厂商： | ABB SWITZERLAND LTD SEMICONDUCTORS |
| 元件分类： | 整流器 |
| 英文描述： | 845 A, 5800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 71K |
| 代理商： | 5SDD09D5800 |
5SDD 09D6000
ABB s.r.o., Novodvorska 1768/138a, 142 21 Praha 4, Czech Republic
ABB s.r.o. reserves the right to change the data contained herein at any time without notice
TS - DV/261/08 Jul-10
3 of 5
Thermal Parameters
Value
Unit
double side cooling
32
K/kW
anode side cooling
50
Rthjc
Thermal resistance
junction to case
cathode side cooling
88
double side cooling
8
K/kW
Rthch
Thermal resistance
case to heatsink
single side cooling
16
Transient Thermal Impedance
i
1
2
3
4
5
τ
i ( s )
0.7033
0.2185
0.0588
0.0042
0.0006
Ri( K/kW )
11.56
10.08
7.84
2.38
0.13
0
5
10
15
20
25
30
35
0,001
0,01
0,1
1
10
Square w ave pulse duration t
d ( s )
T
ra
n
s
ie
n
t
th
e
rm
a
l
im
p
e
d
a
n
c
e
ju
n
c
ti
o
n
to
c
a
s
e
Z
th
jc
(
K
/k
W
)
Analytical function for transient
thermal impedance
∑
=
τ
=
5
1
))
/
exp(
1
(
i
thjc
t
R
Z
Conditions:
Fm = 10 ± 2 kN, Double side cooled
Correction for periodic
waveforms
180° sine:
2.3 K/kW
180° rectangular:
3.1 K/kW
120° rectangular:
5.1 K/kW
60° rectangular:
8.7 K/kW
Fig. 2 Dependence transient thermal impedance junction
to case on square pulse
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 5SDD09D6000 | 845 A, 6000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 5SDD10T1800 | 1013 A, 1800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 5SDD10T1600 | 1013 A, 1600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 5SDD11T2800 | 1285 A, 2800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 5SDD11T2600 | 1285 A, 2600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 5SDD11D2800 | 制造商:ABB 制造商全称:ABB 功能描述:Rectifier Diode |
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