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参数资料
| 型号： | 5SDD11T2800 |
| 厂商： | ABB SWITZERLAND LTD SEMICONDUCTORS |
| 元件分类： | 整流器 |
| 英文描述： | 1285 A, 2800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 74K |
| 代理商： | 5SDD11T2800 |
5SDD 11T2800
TS - DV/272/08 Jul-10
1 of 5
5SDD 11T2800
Old part no. DV 827C-1100-28
Rectifier Diode
Properties
Key Parameters
§
Industry standard housing
VRRM
=
2 800
V
§
Suitable for parallel operation
IFAVm
=
1 285
A
§
High operating temperature
IFSM
=
15 000 A
§
Low forward voltage drop
VTO
=
0.933
V
rT
=
0.242
m
Types
VRRM
5SDD 11T2800
5SDD 11T2600
2 800 V
2 600 V
Conditions:
Tj = -40 ÷ 160 °C,
half sine waveform,
f = 50 Hz
Mechanical Data
Fm
Mounting force
10 ± 2 kN
m
Weight
0.20 kg
DS
Surface creepage
distance
20 mm
Da
Air strike distance
14 mm
Fig. 1 Case
ABB s.r.o.
Novodvorska 1768/138a, 142 21 Praha 4, Czech Republic
tel.: +420 261 306 250, http://www.abb.com/semiconductors
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