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参数资料
| 型号： | 8ETH06SPBF |
| 厂商： | VISHAY INTERTECHNOLOGY INC |
| 元件分类： | 整流器 |
| 英文描述： | 8 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, D2PAK-3 |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 99K |
| 代理商： | 8ETH06SPBF |
Document Number: 94027
For technical questions, contact: diodes-tech@vishay.com
www.vishay.com
Revision: 21-May-08
3
8ETH06SPbF/8ETH06-1PbF
Hyperfast Rectifier,
8 A FRED PtTM
Vishay High Power Products
Fig. 1 - Maximum Forward Voltage Drop Characteristics
Fig. 2 - Typical Values of Reverse Current vs.
Reverse Voltage
Fig. 3 - Typical Junction Capacitance vs. Reverse Voltage
Fig. 4 - Maximum Thermal Impedance ZthJC Characteristics
1
10
T
J = 175 °C
T
J = 150 °C
T
J = 25 °C
0
1
VFM - Forward Voltage Drop (V)
I F
-
Instantaneous
Forwar
d
Current
(A)
100
23
4
0.1
0.01
0.1
1
10
100
0
200
400
VR - Reverse Voltage (V)
I
R
-Re
ver
s
e
Current
(A)
300
T
J = 175 °C
T
J = 150 °C
T
J = 125 °C
T
J = 100 °C
T
J = 25 °C
100
0.001
1000
600
500
100
1000
0
200
400
500
600
10
VR - Reverse Voltage (V)
C
T
-J
u
nction
Capacitance
(pF)
300
100
T
J = 25 °C
0.01
0.1
10
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
t1 - Rectangular Pulse Duration (s)
Z
thJC
-Thermal
Impedance
(°C/W)
.
P
DM
t
1
t
2
Notes:
1. Duty factor D = t
1/t2
2. Peak T
J = PDM x ZthJC + TC
1
Single pulse
(thermal resistance)
D = 0.50
D = 0.20
D = 0.10
D = 0.05
D = 0.02
D = 0.01
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