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参数资料
| 型号： | 8ETH06SPBF |
| 厂商： | VISHAY INTERTECHNOLOGY INC |
| 元件分类： | 整流器 |
| 英文描述： | 8 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, D2PAK-3 |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 99K |
| 代理商： | 8ETH06SPBF |
www.vishay.com
For technical questions, contact: diodes-tech@vishay.com
Document Number: 94027
4
Revision: 21-May-08
8ETH06SPbF/8ETH06-1PbF
Vishay High Power Products
Hyperfast Rectifier,
8 A FRED PtTM
Fig. 5 - Maximum Allowable Case Temperature vs.
Average Forward Current
Fig. 6 - Forward Power Loss Characteristics
Fig. 7 - Typical Reverse Recovery Time vs. dIF/dt
Fig. 8 - Typical Stored Charge vs. dIF/dt
Note
(1) Formula used: TC = TJ - (Pd + PdREV) x RthJC;
Pd = Forward power loss = IF(AV) x VFM at (IF(AV)/D) (see fig. 6);
PdREV = Inverse power loss = VR1 x IR (1 - D); IR at VR1 = Rated VR
02
6
10
12
Allo
wab
le
Case
T
e
mperature
(°C)
IF(AV) - Average Forward Current (A)
120
140
48
150
160
170
180
130
Square wave (D = 0.50)
Rated V
R applied
See note (1)
DC
02
6
10
12
Average
Power
Loss
(W)
IF(AV) - Average Forward Current (A)
0
4
D = 0.01
D = 0.02
D = 0.05
D = 0.10
D = 0.20
D = 0.50
DC
RMS limit
48
8
12
16
20
18
14
10
6
2
100
1000
t rr
(n
s
)
dIF/dt (A/s)
60
10
I
F = 16 A
I
F = 8 A
V
R = 390 V
T
J = 125 °C
T
J = 25 °C
50
40
30
20
100
1000
Q
rr
(nC)
dIF/dt (A/s)
400
0
I
F = 16 A
I
F = 8 A
300
200
100
50
V
R = 390 V
T
J = 125 °C
T
J = 25 °C
350
250
150
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PDF描述 |
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