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参数资料
| 型号： | 933703410127 |
| 厂商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分类： | 整流器 |
| 英文描述： | 8 A, 1200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AC |
| 封装： | PLASTIC PACKAGE-2 |
| 文件页数： | 2/6页 |
| 文件大小： | 49K |
| 代理商： | 933703410127 |
Philips Semiconductors
Product specification
Rectifier diodes
BY329 series
fast, soft-recovery
THERMAL RESISTANCES
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
R
th j-mb
Thermal resistance junction to
-
2.0
K/W
mounting base
R
th j-a
Thermal resistance junction to
in free air.
-
60
-
K/W
ambient
STATIC CHARACTERISTICS
T
j = 25 C unless otherwise stated
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
V
F
Forward voltage
I
F = 20 A
-
1.5
1.85
V
I
R
Reverse current
V
R = VRWM; Tj = 125 C
-
0.1
1.0
mA
DYNAMIC CHARACTERISTICS
T
j = 25 C unless otherwise stated
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
t
rr
Reverse recovery time
I
F = 1 A; VR > 30 V; -dIF/dt = 50 A/s
-
100
135
ns
Q
s
Reverse recovery charge
I
F = 2 A; VR > 30 V; -dIF/dt = 20 A/s
-
0.5
0.7
C
dI
R/dt
Maximum slope of the reverse
I
F = 2 A; -dIF/dt = 20 A/s
-
50
60
A/
s
recovery current
September 1998
2
Rev 1.200
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PDF描述 |
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