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参数资料
| 型号： | 934000180115 |
| 厂商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | UHF BAND, Si, PNP, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | PLASTIC, SC-73, 4 PIN |
| 文件页数： | 5/7页 |
| 文件大小： | 49K |
| 代理商： | 934000180115 |
1995 Sep 12
5
Philips Semiconductors
Product specication
PNP 5 GHz wideband transistor
BFG31
Fig.6
Intermodulation distortion as a function
of collector current.
VCE = 10 V; Vo = 650 mV; Tamb =25 °C;
f(p+qr) = 443.25 MHz.
handbook, halfpage
MBB348
(dB)
40
60
100
40
65
45
80
50
55
60
d im
I
(mA)
C
Fig.7
Intermodulation distortion as a function
of collector current.
VCE = 10 V; Vo = 550 mV; Tamb =25 °C;
f(p+qr) = 848.25 MHz.
handbook, halfpage
MBB349
(dB)
40
60
80
120
50
100
55
60
65
d im
I
(mA)
C
Fig.8 Second order intermodulation distortion
as a function of collector current.
VCE = 10 V; Vo = 50 dBmV; Tamb =25 °C;
f(p+q) = 450 MHz.
handbook, halfpage
MBB350
10
110
10
60
50
40
30
20
30
50
70
90
d 2
(dB)
I
(mA)
C
Fig.9
Second order intermodulation distortion
as a function of collector current.
VCE = 10 V; Vo = 50 dBmV; Tamb =25 °C;
f(p+q) = 810 MHz.
handbook, halfpage
MBB351
10
110
10
60
50
40
30
20
30
50
70
90
d 2
(dB)
I
(mA)
C
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PDF描述 |
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参数描述 |
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