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参数资料
| 型号： | 93AA66AT-E/P |
| 元件分类： | PROM |
| 英文描述： | 128 X 8 MICROWIRE BUS SERIAL EEPROM, PDIP8 |
| 封装： | 0.300 INCH, LEAD FREE, PLASTIC, MS-001, DIP-8 |
| 文件页数： | 3/38页 |
| 文件大小： | 700K |
| 代理商： | 93AA66AT-E/P |
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2007 Microchip Technology Inc.
DS21929D-page 11
93XX46X/56X/66X/76X/86X
3.4
ERASE
The ERASE instruction forces all data bits of the
specified address to the logical ‘1’ state. CS is brought
low following the loading of the last address bit. This
falling edge of the CS pin initiates the self-timed
programming cycle, except on ‘93CXX’ devices where
the rising edge of CLK before the last address bit
initiates the write cycle.
The DO pin indicates the Ready/Busy status of the
device if CS is brought high after a minimum of 250 ns
low (TCSL). DO at logical ‘0’ indicates that programming
is still in progress. DO at logical ‘1’ indicates that the
register at the specified address has been erased and
the device is ready for another instruction.
FIGURE 3-1:
ERASE TIMING FOR 93AAXX AND 93LCXX DEVICES
FIGURE 3-2:
ERASE TIMING FOR 93CXX DEVICES
Note:
After the Erase cycle is complete, issuing
a Start bit and then taking CS low will clear
the Ready/Busy status from DO.
CS
CLK
DI
DO
TCSL
Check Status
11
1
AN
AN-1
AN-2
A0
TSV
TCZ
BUSY
Ready
High-Z
TWC
High-Z
CS
CLK
DI
DO
TCSL
Check Status
11
1
AN
AN-1
AN-2
A0
TSV
TCZ
Busy
Ready
High-Z
TWC
High-Z
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 93AA66CT-E/MC | 128 X 8 MICROWIRE BUS SERIAL EEPROM, PDSO8 |
| 93C76CT-I/OT | 512 X 16 MICROWIRE BUS SERIAL EEPROM, PDSO6 |
| 93AA76C-E/SN | 128 X 8 MICROWIRE BUS SERIAL EEPROM, PDSO8 |
| 93AA76CT-E/OT | 1K X 8 MICROWIRE BUS SERIAL EEPROM, PDSO6 |
| 93AA46B-E/P | 128 X 8 MICROWIRE BUS SERIAL EEPROM, PDIP8 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 93AA66AT-I/MC | 功能描述:电可擦除可编程只读存储器 4K 512X8 SER EE 1.8V IND RoHS:否 制造商:Atmel 存储容量:2 Kbit 组织:256 B x 8 数据保留:100 yr 最大时钟频率:1000 KHz 最大工作电流:6 uA 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 |
| 93AA66AT-I/MNY | 功能描述:电可擦除可编程只读存储器 4K 512X8 SER EE 1.8V IND RoHS:否 制造商:Atmel 存储容量:2 Kbit 组织:256 B x 8 数据保留:100 yr 最大时钟频率:1000 KHz 最大工作电流:6 uA 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 |
| 93AA66AT-I/MS | 功能描述:电可擦除可编程只读存储器 512x8 - 1.8V RoHS:否 制造商:Atmel 存储容量:2 Kbit 组织:256 B x 8 数据保留:100 yr 最大时钟频率:1000 KHz 最大工作电流:6 uA 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 |
| 93AA66AT-I/MSG | 功能描述:电可擦除可编程只读存储器 512x8 - 1.8V Lead Free Package RoHS:否 制造商:Atmel 存储容量:2 Kbit 组织:256 B x 8 数据保留:100 yr 最大时钟频率:1000 KHz 最大工作电流:6 uA 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 |
| 93AA66AT-I/OT | 功能描述:电可擦除可编程只读存储器 512x8 - 1.8V RoHS:否 制造商:Atmel 存储容量:2 Kbit 组织:256 B x 8 数据保留:100 yr 最大时钟频率:1000 KHz 最大工作电流:6 uA 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 |
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