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参数资料
| 型号： | 93AA66AT-E/P |
| 元件分类： | PROM |
| 英文描述： | 128 X 8 MICROWIRE BUS SERIAL EEPROM, PDIP8 |
| 封装： | 0.300 INCH, LEAD FREE, PLASTIC, MS-001, DIP-8 |
| 文件页数： | 4/38页 |
| 文件大小： | 700K |
| 代理商： | 93AA66AT-E/P |
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93XX46X/56X/66X/76X/86X
DS21929D-page 12
2007 Microchip Technology Inc.
3.5
ERASE ALL (ERAL)
The Erase All (ERAL) instruction will erase the entire
memory array to the logical ‘1’ state. The ERAL cycle
is identical to the Erase cycle, except for the different
opcode. The ERAL cycle is completely self-timed and
commences at the falling edge of the CS, except on
‘93CXX’ devices where the rising edge of CLK before
the last data bit initiates the write cycle. Clocking of the
CLK pin is not necessary after the device has entered
the ERAL cycle.
The DO pin indicates the Ready/Busy status of the
device, if CS is brought high after a minimum of 250 ns
low (TCSL).
VCC must be
≥ 4.5V for proper operation of ERAL.
FIGURE 3-3:
ERAL TIMING FOR 93AAXX AND 93LCXX DEVICES
FIGURE 3-4:
ERAL TIMING FOR 93CXX DEVICES
Note:
After the ERAL command is complete,
issuing a Start bit and then taking CS low
will clear the Ready/Busy status from DO.
CS
CLK
DI
DO
TCSL
Check Status
10
0
1
0
X
X
TSV
TCZ
Busy
Ready
High-Z
TEC
High-Z
Vcc must be
≥ 4.5V for proper operation of ERAL.
CS
CLK
DI
DO
TCSL
Check Status
10
0
1
0
X
X
TSV
TCZ
Busy
Ready
High-Z
TEC
High-Z
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 93AA66CT-E/MC | 128 X 8 MICROWIRE BUS SERIAL EEPROM, PDSO8 |
| 93C76CT-I/OT | 512 X 16 MICROWIRE BUS SERIAL EEPROM, PDSO6 |
| 93AA76C-E/SN | 128 X 8 MICROWIRE BUS SERIAL EEPROM, PDSO8 |
| 93AA76CT-E/OT | 1K X 8 MICROWIRE BUS SERIAL EEPROM, PDSO6 |
| 93AA46B-E/P | 128 X 8 MICROWIRE BUS SERIAL EEPROM, PDIP8 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 93AA66AT-I/MC | 功能描述:电可擦除可编程只读存储器 4K 512X8 SER EE 1.8V IND RoHS:否 制造商:Atmel 存储容量:2 Kbit 组织:256 B x 8 数据保留:100 yr 最大时钟频率:1000 KHz 最大工作电流:6 uA 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 |
| 93AA66AT-I/MNY | 功能描述:电可擦除可编程只读存储器 4K 512X8 SER EE 1.8V IND RoHS:否 制造商:Atmel 存储容量:2 Kbit 组织:256 B x 8 数据保留:100 yr 最大时钟频率:1000 KHz 最大工作电流:6 uA 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 |
| 93AA66AT-I/MS | 功能描述:电可擦除可编程只读存储器 512x8 - 1.8V RoHS:否 制造商:Atmel 存储容量:2 Kbit 组织:256 B x 8 数据保留:100 yr 最大时钟频率:1000 KHz 最大工作电流:6 uA 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 |
| 93AA66AT-I/MSG | 功能描述:电可擦除可编程只读存储器 512x8 - 1.8V Lead Free Package RoHS:否 制造商:Atmel 存储容量:2 Kbit 组织:256 B x 8 数据保留:100 yr 最大时钟频率:1000 KHz 最大工作电流:6 uA 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 |
| 93AA66AT-I/OT | 功能描述:电可擦除可编程只读存储器 512x8 - 1.8V RoHS:否 制造商:Atmel 存储容量:2 Kbit 组织:256 B x 8 数据保留:100 yr 最大时钟频率:1000 KHz 最大工作电流:6 uA 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 |
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