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AOTF42S60 其他被动元件

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    AOTF42S60 其他被动元件

    AOTF42S60 其他被动元件

  • 深圳庞田科技有限公司
    深圳庞田科技有限公司

    联系人:吴小姐

    电话:13612858787

    地址:深圳市龙岗区坂田街道杨美社区旺塘16巷12号13A

  • 84000

  • AOS/万代

  • TO-220F

  • 21+原装

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  • 庞田无假货,只做原装正品,货真价实欢迎前...

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AOTF42S60 其他被动元件 PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
AOTF42S60 其他被动元件 技术参数
  • AOTF4185 功能描述:MOSFET P-CH 40V 34A TO220FL 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):40V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):34A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):16 毫欧 @ 20A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):55nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):2550pF @ 20V 功率 - 最大值:33W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商器件封装:TO-220FL 标准包装:1,000 AOTF4126 功能描述:MOSFET N-CH 100V 6A TO220F 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:SDMOS?? 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):100V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):6A(Ta),27A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):24 毫欧 @ 20A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):42nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):2200pF @ 50V 功率 - 最大值:2.1W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商器件封装:TO-220-3F 标准包装:1,000 AOTF409 功能描述:MOSFET P-CH 60V 5.4A TO220FL 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):5.4A(Ta),24A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):40 毫欧 @ 20A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):52nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):2953pF @ 30V 功率 - 最大值:2.16W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商器件封装:TO-220FL 标准包装:1,000 AOTF404 功能描述:MOSFET N-CH 105V 5.8A TO220FL 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):105V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):5.8A(Ta),26A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):28 毫欧 @ 20A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):46nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):2445pF @ 25V 功率 - 最大值:2.2W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商器件封装:TO-220FL 标准包装:50 AOTF3N90 功能描述:MOSFET N-CH 900V 2.4A TO220F 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):900V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):2.4A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):6.7 欧姆 @ 1.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):16nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):540pF @ 25V 功率 - 最大值:35W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商器件封装:TO-220-3F 标准包装:1,000 AOTF4T60P AOTF5B60D AOTF5B65M1 AOTF5N100 AOTF5N50 AOTF5N50FD AOTF6N90 AOTF7N60 AOTF7N60FD AOTF7N65 AOTF7N70 AOTF7S60L AOTF7S65 AOTF7T60 AOTF7T60L AOTF7T60P AOTF7T60PL AOTF8N50
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