配单专家企业名单

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说明
操作

APT10030L2VR
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162106431621048916210479162104578
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
5000
APT
原厂封装
15+
-
原装正品，假一罚十

APT10030L2VR
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162106431621048916210479162104578
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
5000
APT
TO
07/08+
-
假一罚十，百分百原装正品

APT10030L2VR
深圳市时兴宇电子有限公司
深圳市时兴宇电子有限公司
联系人：彭先生
电话：0755-830415598397218513430523058
地址：深圳市福田区华强北都会大厦A座19楼19G
9650
APT
TO-264
09+
-
绝对公司原装现货

APT10030L2VR
深圳市科翼源电子有限公司
深圳市科翼源电子有限公司
联系人：朱小姐
电话：13510998172
地址：振华路100号深纺大厦C座2楼E16
资质：营业执照
9000
APT
TO264
21+
-
原厂原装现货

APT10030L2VR
深圳市琦凌凯科技有限公司
深圳市琦凌凯科技有限公司
联系人：彭先生
电话：1331648214918276240346
地址：深圳市福田区华强北街道荔村社区振兴路120号赛格科技园4栋中10层10A19
资质：营业执照
6000
APT
TO-264MAX
22+
-
十年配单，只做原装

APT10030L2VR
无锡固电半导体股份有限公司
无锡固电半导体股份有限公司
联系人：张小姐
电话：15961889159
地址：江苏省无锡市新区新梅路68号
资质：营业执照
3000
isc,iscsemi
TO-264MAX
2024+
-
国产品牌，可替代原装

APT10030L2VR
深圳市华创欧科技有限公司
深圳市华创欧科技有限公司
联系人：朱先生
电话：2394575513590206539
地址：深圳市福田区华强北上步工业区201栋4楼4A68-2室
16500
APT
TO-264
2022+
-
原装正品，公司现货库存假一罚十，电话：0...

APT10030L2VR
深圳市中平科技有限公司
深圳市中平科技有限公司
联系人：赖先生
电话：0755-8394638513632637322
地址：深圳市福田区深南中路2070号电子科技大厦A座27楼2702号
资质：营业执照
12690
APT
直插/贴片
2024+
-
绝对现货

APT10030L2VR
深圳市一线半导体有限公司
深圳市一线半导体有限公司
联系人：谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐
电话：0755-837892031333298700517727932378
地址：深圳市福田区华强北华强花园B9F
9600
264 MAX?[L2]
APT(MICROSEMI)
17+
-
原装正品。优势供应

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制造商
ADPOW
制造商全称
Advanced Power Technology
功能描述
Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs.

APT10030L2VR 技术参数

APT10021JLL 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 37A SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:1000V（1kV）电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:37A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:210 毫欧 @ 18.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:395nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:9750pF @ 25V 功率 - 最大值:694W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装:ISOTOP? 标准包装:1 APT10021JFLL 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 37A SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:1000V（1kV）电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:37A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:210 毫欧 @ 18.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:395nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:9750pF @ 25V 功率 - 最大值:694W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装:ISOTOP? 标准包装:1 APT1001RBN 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 11A TO247AD 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS IV? 包装:管件零件状态:停產 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:1000V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:11A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:130nC @ 10V Vgs（最大值）:±30V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:2950pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:310W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1 欧姆 @ 5.5A，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔供应商器件封装:TO-247AD 封装/外壳:TO-247-3 标准包装:30 APT1001R6BFLLG 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 8A TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:1000V（1kV）电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:8A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.6 欧姆 @ 4A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:55nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1320pF @ 25V 功率 - 最大值:266W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247 [B] 标准包装:30 APT1001R1BN 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 10.5A TO247AD 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS IV? 包装:管件零件状态:停產 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:1000V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:10.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:130nC @ 10V Vgs（最大值）:±30V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:2950pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:310W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.1 欧姆 @ 5.25A，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔供应商器件封装:TO-247AD 封装/外壳:TO-247-3 标准包装:30 APT10078BLLG APT10078SLLG APT10090BFLLG APT10090BLLG APT100DL60BG APT100DL60HJ APT100F50J APT100GF60JU2 APT100GF60JU3 APT100GLQ65JU2 APT100GLQ65JU3 APT100GN120B2G APT100GN120J APT100GN120JDQ4 APT100GN60B2G APT100GN60LDQ4G APT100GT120JR APT100GT120JRDQ4

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