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APT100GLQ65JU3

配单专家企业名单
  • 型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装
  • 批号
  • 价格
  • 说明
  • 操作
  • APT100GLQ65JU3
    APT100GLQ65JU3

    APT100GLQ65JU3

  • 无锡固电半导体股份有限公司
    无锡固电半导体股份有限公司

    联系人:张小姐

    电话:15961889150

    地址:江苏省无锡市新区新梅路68号

    资质:营业执照

  • 1000

  • isc/固电半导体

  • ISOTOP,SOT-227

  • 25+

  • -
  • 国产品牌,替代进口

  • APT100GLQ65JU3
    APT100GLQ65JU3

    APT100GLQ65JU3

  • 深圳市思诺康科技有限公司
    深圳市思诺康科技有限公司

    联系人:张小姐/Vivianvi

    电话:0755-83286481

    地址:坂田街道东坡路3号万致天地商业中心(A塔)1栋一单元1602

  • 9900

  • Microchip Technology

  • SOT-227-4

  • 23+

  • -
  • 微芯专营优势产品

  • 1/1页 40条/页 共40条 
  • 1
APT100GLQ65JU3 PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
  • 功能描述
  • IGBT 600V 100A 430W ISOTOP
  • 制造商
  • microsemi corporation
  • 系列
  • -
  • 零件状态
  • 在售
  • IGBT 类型
  • 沟槽型场截止
  • 配置
  • 单斩波器
  • 电压 - 集射极击穿(最大值)
  • 650V
  • 电流 - 集电极(Ic)(最大值)
  • 165A
  • 功率 - 最大值
  • 430W
  • 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on)
  • 2.3V @ 15V,1000A
  • 电流 - 集电极截止(最大值)
  • 50μA
  • 不同?Vce 时的输入电容(Cies)
  • 6.1nF @ 25V
  • 输入
  • 标准
  • NTC 热敏电阻
  • 工作温度
  • -55°C ~ 175°C
  • 安装类型
  • 底座安装
  • 封装/外壳
  • SOT-227-4,miniBLOC
  • 供应商器件封装
  • ISOTOP?
  • 标准包装
  • 1
APT100GLQ65JU3 技术参数
  • APT100GLQ65JU2 功能描述:POWER MODULE - IGBT 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:在售 IGBT 类型:沟槽型场截止 配置:升压斩波器 电压 - 集射极击穿(最大值):650V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):165A 功率 - 最大值:430W 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):2.3V @ 15V,100A 电流 - 集电极截止(最大值):50μA 不同?Vce 时的输入电容(Cies):6.1nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4,miniBLOC 供应商器件封装:ISOTOP? 标准包装:1 APT100GF60JU3 功能描述:IGBT Module NPT Single 600V 120A 416W Chassis Mount SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:Not For New Designs IGBT 类型:NPT 配置:单一 电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):120A 功率 - 最大值:416W 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):2.5V @ 15V,100A 电流 - 集电极截止(最大值):100μA 不同?Vce 时的输入电容(Cies):4.3nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:ISOTOP 供应商器件封装:SOT-227 标准包装:1 APT100GF60JU2 功能描述:IGBT Module NPT Single 600V 120A 416W Chassis Mount SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:Not For New Designs IGBT 类型:NPT 配置:单一 电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):120A 功率 - 最大值:416W 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):2.5V @ 15V,100A 电流 - 集电极截止(最大值):250μA 不同?Vce 时的输入电容(Cies):12.3nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是 安装类型:底座安装 封装/外壳:ISOTOP 供应商器件封装:SOT-227 标准包装:1 APT100F50J 功能描述:MOSFET N-CH 500V 103A SOT227 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):500V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):103A 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):36 毫欧 @ 75A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):620nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):24600pF @ 25V 功率 - 最大值:960W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4,miniBLOC 供应商器件封装:ISOTOP? 标准包装:1 APT100DL60HJ 功能描述:Bridge Rectifier Single Phase 600V 100A Chassis Mount SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 二极管类型:单相 电压 - 峰值反向(最大值):600V 电流 - DC 正向(If):100A 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4,miniBLOC 供应商器件封装:SOT-227 标准包装:1 APT100GT60B2RG APT100GT60JR APT100GT60JRDQ4 APT100M50J APT100MC120JCU2 APT100S20BG APT100S20LCTG APT102GA60B2 APT102GA60L APT-106 APT106N60B2C6 APT-106-T APT10DC120HJ APT10M09B2VFRG APT10M11B2VFRG APT10M11JVRU2 APT10M11JVRU3 APT10SCD120B
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