APT106M20

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APT106M20 技术参数

APT-106 功能描述:LAN XFRMR 10/100 1PORT EXT-TEMP 制造商:abracon llc 系列:* 零件状态:有效标准包装:36 APT102GA60L 功能描述:IGBT PT 600V 183A 780W Through Hole TO-264 [L] 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:管件零件状态:有效 IGBT 类型:PT 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:183A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):307A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.5V @ 15V，62A 功率 - 最大值:780W 开关能量:1.354mJ（开）， 1.614mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:294nC 25°C 时 Td（开/关）值:28ns/212ns 测试条件:400V，62A，4.7 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:- 封装/外壳:TO-264-3，TO-264AA 安装类型:通孔供应商器件封装:TO-264 [L] 标准包装:1 APT102GA60B2 功能描述:IGBT PT 600V 183A 780W Through Hole 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包装:管件零件状态:过期 IGBT 类型:PT 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:183A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):307A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.5V @ 15V，62A 功率 - 最大值:780W 开关能量:1.354mJ（开）， 1.614mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:294nC 25°C 时 Td（开/关）值:28ns/212ns 测试条件:400V，62A，4.7 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:- 封装/外壳:TO-247-3 变式安装类型:通孔供应商器件封装:* 标准包装:30 APT100S20LCTG 功能描述:Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 200V 120A Through Hole TO-264-3, TO-264AA 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:管件零件状态:有效二极管配置:1 对共阴极二极管类型:肖特基电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 电流 - 平均整流（Io）（每二极管）:120A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:950mV @ 100A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:70ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:2mA @ 200V 安装类型:通孔封装/外壳:TO-264-3，TO-264AA 供应商器件封装:TO-264 [L] 标准包装:1 APT100S20BG 功能描述:Diode Schottky 200V 120A Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:管件零件状态:有效二极管类型:肖特基电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 电流 - 平均整流（Io）:120A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:950mV @ 100A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:70ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:2mA @ 200V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔封装/外壳:TO-247-2 供应商器件封装:TO-247 [B] 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:1 APT10SCD120K APT10SCD65K APT10SCD65KCT APT10SCE120B APT10SCE170B APT11F80B APT11F80S APT11GF120BRDQ1G APT11GF120KRG APT11N80BC3G APT11N80KC3G APT1201R4BFLLG APT12031JFLL APT1204R7BFLLG APT1204R7KFLLG APT12057B2FLLG APT12057B2LLG APT12057JLL