配单专家企业名单

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说明
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APT13003EU-E1
北京首天伟业科技有限公司
北京首天伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6256544762566447
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1010室
资质：营业执照
5000
none
to126
09+
-
假一罚十，百分百原装正品

APT13003EU-E1
深圳市亿联芯电子科技有限公司
深圳市亿联芯电子科技有限公司
联系人：吴经理
电话：18138401919
地址：深圳市福田区赛格科技园4栋中6楼6B01
69880
DIODES/美台
NA
2021+
-
★★正规渠道★原厂正品最新货源现货供应★...

APT13003EU-E1
深圳市深美诺电子科技有限公司
深圳市深美诺电子科技有限公司
联系人：李燕兵
电话：82525918
地址：深圳市福田区华强北路上步工业区101栋5楼517-532室
资质：营业执照
6000
BCD
TO-126
22+
-
全新原装现货供应

APT13003EU-E1
深圳市科翼源电子有限公司
深圳市科翼源电子有限公司
联系人：朱小姐
电话：13510998172
地址：振华路100号深纺大厦C座2楼E16
资质：营业执照
25178
BCD
TO-126
21+
-
原厂原装现货

APT13003EU-E1
深圳市澳亿芯电子科技有限公司
深圳市澳亿芯电子科技有限公司
联系人：李先生
电话：86-755-8450174913760200702
地址：深圳市龙岗区坂田街道五和大道山海商业广场C栋706
资质：营业执照
8500
BCD
TO-126
假一赔十！
-
绝对原装现货！！

APT13003EU-E1
深圳市华创欧科技有限公司
深圳市华创欧科技有限公司
联系人：朱先生
电话：2394575513590206539
地址：深圳市福田区华强北上步工业区201栋4楼4A68-2室
5896
BCD
TO-126
2022+
-
原装正品，公司现货库存假一罚十，电话：0...

APT13003EU-E1
深圳廊盛科技有限公司
深圳廊盛科技有限公司
联系人：李小姐
电话：18229386512
地址：上步工业区501栋410室
20000
DIODES/美台
TO-126
23+
-
原装正品欢迎咨询

APT13003EU-E1
深圳市华盛锦科技有限公司
深圳市华盛锦科技有限公司
联系人：雷小姐
电话：0755-2391507123915070（承诺只售原装正品，终端BOM配单一站式服务）
地址：华强街道赛格广场55楼5566室
资质：营业执照
30000
DIODES/美台
SMD
2020+
-
★★★真实库存，假一赔十，原厂授权★★★

APT13003EU-E1
深圳市柏新电子科技有限公司
深圳市柏新电子科技有限公司
联系人：林小姐//方先生
电话：0755-88377780010-58488628
地址：深圳市福田区深南中路2070号电子科技大厦C座27E2 , 北京办事处：北京海春路中发大厦60淀区知
1470
BCD
TO126
2012+
-
只做原装正品

APT13003EU-E1
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：朱先生/李小姐
电话：0755-2394163213723794312（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。
865000
BCD
TO-126
最新批号
-
一级代理.原装特价现货！

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制造商
BCDSEMI
制造商全称
BCD Semiconductor Manufacturing Limited
功能描述
HIGH VOLTAGE FAST SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR

APT13003EU-E1 技术参数

APT13003DZTR-G1 功能描述:TRANS NPN 450V 1.5A TO92 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:1.5A 电压 - 集射极击穿（最大值）:450V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:400mV @ 250mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:5 @ 1A，2V 功率 - 最大值:1.1W 频率 - 跃迁:4MHz 安装类型:通孔封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）供应商器件封装:TO-92 标准包装:1 APT13003DU-G1 功能描述:TRANS NPN 450V 1.5A TO126 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:散装零件状态:在售晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:1.5A 电压 - 集射极击穿（最大值）:450V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:400mV @ 250mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:5 @ 1A，2V 功率 - 最大值:20W 频率 - 跃迁:4MHz 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-225AA，TO-126-3 供应商器件封装:TO-126 标准包装:4,000 APT13003DI-G1 功能描述:TRANS NPN 450V 1.5A TO251 制造商:diodes incorporated 系列:* 零件状态:在售标准包装:3,600 APT12M80B 功能描述:MOSFET N-CH 800V 13A TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:800V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:13A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:800 毫欧 @ 6A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:80nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2470pF @ 25V 功率 - 最大值:335W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247 [B] 标准包装:1 APT12F60K 功能描述:MOSFET N-CH 600V 12A TO-220 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:12A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:620 毫欧 @ 6A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 500μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:55nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2200pF @ 25V 功率 - 最大值:225W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220 [K] 标准包装:50 APT13005DTF-G1 APT13005DT-G1 APT13005SI-G1 APT13005STF-G1 APT13005SU-G1 APT13005TF-G1 APT13005T-G1 APT13F120B APT13F120S APT13GP120BDQ1G APT13GP120BG APT13GP120KG APT14050JVFR APT14F100B APT14F100S APT14M100B APT14M100S APT14M120B

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