配单专家企业名单

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批号
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说明
操作

APT13GP120K
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162106431621048916210479162104578
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
5000
APT
原厂封装
15+
-
原装正品，假一罚十

APT13GP120KG
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
5000
MICROSEMI
1521+
-
全新原装现货

APT13GP120K
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210479162106431621045786210493162104891
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
5000
MOT
09+
-
假一罚十，百分百原装正品

APT13GP120KG
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162106431621048916210479162104578
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
3000
APT(MICROSEMI)
TO-220 [K]
09+
-
全新原装100%正品保证质量

APT13GP120KG
深圳市琦凌凯科技有限公司
深圳市琦凌凯科技有限公司
联系人：彭先生
电话：1331648214918276240346
地址：深圳市福田区华强北街道荔村社区振兴路120号赛格科技园4栋中10层10A19
资质：营业执照
6000
APTMICROSEMI
TO-220K
22+
-
十年配单，只做原装

APT13GP120KG
上海鑫科润电子科技有限公司
上海鑫科润电子科技有限公司
联系人：鑫科润
电话：185210072361851602286718516022897
地址：上海徐汇区中山南二路1007号
50000
Microsemi Corporation
TO-220 [K]
17+
-
全新原装现货

APT13GP120K
无锡固电半导体股份有限公司
无锡固电半导体股份有限公司
联系人：张小姐
电话：15961889159
地址：江苏省无锡市新区新梅路68号
资质：营业执照
8000
isc,iscsemi
TO-220
2024+
-
国产品牌，可替代原装

APT13GP120K
深圳市中平科技有限公司
深圳市中平科技有限公司
联系人：赖先生
电话：0755-8394638513632637322
地址：深圳市福田区深南中路2070号电子科技大厦A座27楼2702号
资质：营业执照
13006
APT
直插/贴片
2024+
-
不怕你不买只怕你不问

APT13GP120K
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：朱先生/李小姐
电话：0755-2394163213723794312（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。
865000
APT
TO-220K
最新批号
-
代理此型号，原装正品现货！

APT13GP120K
深圳市一线半导体有限公司
深圳市一线半导体有限公司
联系人：谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐
电话：0755-837892031333298700517727932378
地址：深圳市福田区华强北华强花园B9F
9600
TO-220 [K]
APT(MICROSEMI)
17+
-
原装正品。优势供应

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制造商
ADPOW
制造商全称
Advanced Power Technology
功能描述
POWER MOS 7 IGBT

APT13GP120K 技术参数

APT13GP120BG 功能描述:IGBT PT 1200V 41A 250W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包装:管件零件状态:有效 IGBT 类型:PT 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:41A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):50A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:3.9V @ 15V，13A 功率 - 最大值:250W 开关能量:115μJ（开），165μJ（关）输入类型:标准栅极电荷:55nC 25°C 时 Td（开/关）值:9ns/28ns 测试条件:600V，13A，5 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:- 封装/外壳:TO-247-3 安装类型:通孔供应商器件封装:TO-247 [B] 标准包装:1 APT13GP120BDQ1G 功能描述:IGBT PT 1200V 41A 250W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包装:管件零件状态:有效 IGBT 类型:PT 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:41A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):50A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:3.9V @ 15V，13A 功率 - 最大值:250W 开关能量:115μJ（开），165μJ（关）输入类型:标准栅极电荷:55nC 25°C 时 Td（开/关）值:9ns/28ns 测试条件:600V，13A，5 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:- 封装/外壳:TO-247-3 安装类型:通孔供应商器件封装:TO-247 [B] 标准包装:1 APT13F120S 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 14A D3PAK 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包装:管件零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:1200V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:14A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:145nC @ 10V Vgs（最大值）:±30V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:4765pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:625W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.2 欧姆 @ 7A，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:D3Pak 封装/外壳:TO-268-3，D3Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA 标准包装:1 APT13F120B 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 14A TO247 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:1200V（1.2kV）电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:14A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.4 欧姆 @ 7A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:145nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:4765pF @ 25V 功率 - 最大值:625W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247 [B] 标准包装:1 APT13005T-G1 功能描述:TRANS NPN 450V 4A TO220AB 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:管件零件状态:有效晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:4A 电压 - 集射极击穿（最大值）:450V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:900mV @ 1A，4A 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:8 @ 2A，5V 功率 - 最大值:75W 频率 - 跃迁:4MHz 安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:1,000 APT150GN60B2G APT150GN60J APT150GN60JDQ4 APT150GN60LDQ4G APT150GT120JR APT15D100BCTG APT15D100BG APT15D100BHBG APT15D100KG APT15D120BCTG APT15D120BG APT15D120KG APT15D30KG APT15D40BCTG APT15D40KG APT15D60BCAG APT15D60BCTG APT15D60BG

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