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APT30GN60SG

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说明
操作

APT30GN60SG
现货
集好芯城
集好芯城
联系人：陈先生13360533550
电话：0755-838679890755-82795565
地址：深圳公司：深圳市福田区华富路航都大厦11F
资质：营业执照
25672
MICROSEMI/美高森美
NA
22+
-
原厂原装现货

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1

您是不是要找： APT30GP60B2DLG APT30GP60BDQ1G APT30GP60BG APT30GP60JDQ1 APT30GP60LDLG APT30GS60BRDLG APT30GS60BRDQ2G APT30GT60BRDQ2G APT30GT60BRG

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制造商
MICROSEMI
制造商全称
Microsemi Corporation
功能描述
Resonant Mode Combi IGBT

APT30GN60SG 技术参数

APT30GN60BG 功能描述:IGBT Trench Field Stop 600V 63A 203W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:管件零件状态:有效 IGBT 类型:沟槽型场截止电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:63A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):90A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:1.9V @ 15V，30A 功率 - 最大值:203W 开关能量:525μJ（开），700μJ（关）输入类型:标准栅极电荷:165nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/155ns 测试条件:400V，30A，4.3 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:- 封装/外壳:TO-247-3 安装类型:通孔供应商器件封装:TO-247 [B] 标准包装:1 APT30GN60BDQ2G 功能描述:IGBT Trench Field Stop 600V 63A 203W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:管件零件状态:有效 IGBT 类型:沟槽型场截止电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:63A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):90A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:1.9V @ 15V，30A 功率 - 最大值:203W 开关能量:525μJ（开），700μJ（关）输入类型:标准栅极电荷:165nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/155ns 测试条件:400V，30A，4.3 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:- 封装/外壳:TO-247-3 安装类型:通孔供应商器件封装:TO-247 [B] 标准包装:1 APT30GF60JU3 功能描述:IGBT Module NPT Single 600V 58A 192W Chassis Mount ISOTOP? 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:Not For New Designs IGBT 类型:NPT 配置:单一电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:58A 功率 - 最大值:192W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.5V @ 15V，30A 电流 - 集电极截止（最大值）:40μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:1.85nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无安装类型:底座安装封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装:ISOTOP? 标准包装:1 APT30GF60JU2 功能描述:IGBT Module NPT Single 600V 58A 192W Chassis Mount SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:Not For New Designs IGBT 类型:NPT 配置:单一电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:58A 功率 - 最大值:192W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.5V @ 15V，30A 电流 - 集电极截止（最大值）:40μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:1.85nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无安装类型:底座安装封装/外壳:ISOTOP 供应商器件封装:SOT-227 标准包装:1 APT30F60J 功能描述:MOSFET N-CH 600V 31A SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:31A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:150 毫欧 @ 21A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:215nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:8590pF @ 25V 功率 - 最大值:355W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装:ISOTOP? 标准包装:1 APT30GT60KRG APT30M19JVFR APT30M19JVR APT30M40JVFR APT30M40JVR APT30M60J APT30M70BVFRG APT30M70BVRG APT30M70SVRG APT30M85BVFRG APT30M85BVRG APT30N60BC6 APT30N60KC6 APT30S20BCTG APT30S20BG APT30S20SG APT30SCD120B APT30SCD120S