APT30SCD65B全国供应商 APT30SCD65B资料|PDF Datasheet|价格【Microsemi 美高森美】

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

APT30SCD65B
深圳市德江源电子有限公司
深圳市德江源电子有限公司
联系人：张先生
电话：8296641615986789713
地址：深圳市福田区华强北街道振华路100号深纺大厦C座1A层1A621室
资质：营业执照
2131
MROSEMI/美高森美
TO247
1609+
-
只做原装，假一赔十

APT30SCD65B
深圳市科翼源电子有限公司
深圳市科翼源电子有限公司
联系人：朱小姐
电话：13510998172
地址：振华路100号深纺大厦C座2楼E16
资质：营业执照
18880
Microsemi
TO247
21+
-
原厂原装现货

APT30SCD65B
无锡固电半导体股份有限公司
无锡固电半导体股份有限公司
联系人：张小姐
电话：15961889159
地址：江苏省无锡市新区新梅路68号
资质：营业执照
10000
isc,iscsemi
TO-247-2
2024+
-
国产品牌，可替代原装

APT30SCD65B
深圳市华盛锦科技有限公司
深圳市华盛锦科技有限公司
联系人：雷小姐
电话：0755-2391507123915070（承诺只售原装正品，终端BOM配单一站式服务）
地址：华强街道赛格广场55楼5566室
资质：营业执照
88660
MICROSEMI/美高森美
TO247
85220
-
★★★真实库存，假一赔十，原厂授权★★★

APT30SCD65B
深圳廊盛科技有限公司
深圳廊盛科技有限公司
联系人：李小姐
电话：18229386512
地址：上步工业区501栋410室
20000
MICROSEMI/美高森美
TO247
23+
-
原装正品欢迎咨询

APT30SCD65B
深圳廊盛科技有限公司
深圳廊盛科技有限公司
联系人：李小姐
电话：18229386512微信同号
地址：上步工业区501栋410室
30000
MICROSEMI/美高森美
TO247
23+
-
原装正品欢迎咨询

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功能描述
Diode Silicon Carbide Schottky 650V 46A Through Hole TO-247
制造商
microsemi corporation
系列
-
包装
散装
零件状态
有效
二极管类型
碳化硅肖特基
电压 - DC 反向（Vr）（最大值）
650V
电流 - 平均整流（Io）
46A
不同 If 时的电压 - 正向（Vf）
1.8V @ 30A
速度
快速恢复 = 200mA（Io）
反向恢复时间（trr）
-
不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流
600μA @ 650V
不同?Vr，F 时的电容
945pF @ 1V, 1MHz
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-247-2
供应商器件封装
TO-247
工作温度 - 结
-55°C ~ 150°C
标准包装
1

APT30SCD65B 技术参数

APT30SCD120S 功能描述:Diode Silicon Carbide Schottky 1200V (1.2kV) 99A (DC) Surface Mount D3Pak 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:管件零件状态:有效二极管类型:碳化硅肖特基电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:1200V（1.2kV）电流 - 平均整流（Io）:99A（DC）不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.8V @ 30A 速度:无恢复时间 > 500mA（Io）反向恢复时间（trr）:0ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:600μA @ 1200V 不同?Vr，F 时的电容:2100pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-268-3，D3Pak（2 引线+接片），TO-268AA 供应商器件封装:D3Pak 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:1 APT30SCD120B 功能描述:Diode Silicon Carbide Schottky 1200V (1.2kV) 99A (DC) Through Hole TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:管件零件状态:有效二极管类型:碳化硅肖特基电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:1200V（1.2kV）电流 - 平均整流（Io）:99A（DC）不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.8V @ 30A 速度:无恢复时间 > 500mA（Io）反向恢复时间（trr）:0ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:600μA @ 1200V 不同?Vr，F 时的电容:2100pF @ 0V，1MHz 安装类型:通孔封装/外壳:TO-247-2 供应商器件封装:TO-247 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:1 APT30S20SG 功能描述:Diode Schottky 200V 45A Surface Mount D3 [S] 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:管件零件状态:有效二极管类型:肖特基电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 电流 - 平均整流（Io）:45A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:850mV @ 30A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:55ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500μA @ 200V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-268-3，D3Pak（2 引线+接片），TO-268AA 供应商器件封装:D3 [S] 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:30 APT30S20BG 功能描述:Diode Schottky 200V 45A Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:管件零件状态:有效二极管类型:肖特基电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 电流 - 平均整流（Io）:45A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:850mV @ 30A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:55ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500μA @ 200V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔封装/外壳:TO-247-2 供应商器件封装:TO-247 [B] 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:1 APT30S20BCTG 功能描述:Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 200V 45A Through Hole, Radial TO-247-3 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:管件零件状态:有效二极管配置:1 对共阴极二极管类型:肖特基电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 电流 - 平均整流（Io）（每二极管）:45A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:850mV @ 30A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:55ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500μA @ 200V 安装类型:通孔，径向封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247 [B] 标准包装:1 APT3216LVBC/D APT3216LZGCK APT3216MGC APT3216PBC/A APT3216QBC/D APT3216SECK APT3216SECK/J3-PRV APT3216SECK/J4-PRV APT3216SGC APT3216SRCPRV APT3216SURCK APT3216SYCK APT3216SYCK/J3-PRV APT3216VBC/D APT3216YC APT3216ZGC APT3216ZGCK APT32F120J

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