APT30S20SG

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说明
操作

APT30S20SG
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：朱先生/李小姐
电话：0755-2394163213723794312（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。
865000
APT
D3S
最新批号
-
代理此型号，原装正品现货！

APT30S20SG
深圳市一线半导体有限公司
深圳市一线半导体有限公司
联系人：谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐
电话：0755-837892031333298700517727932378
地址：深圳市福田区华强北华强花园B9F
9600
D3 [S]
APT(MICROSEMI)
17+
-
原装正品。优势供应

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您是不是要找： APT30SCD120B APT30SCD120S APT30SCD65B APT31M100B2 APT31M100L APT31N60BCSG APT31N80JC3 APT3216CGCK APT3216EC

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功能描述
DIODE SCHOTTKY 45A 200V D3PAK
RoHS
是
类别
分离式半导体产品 >> 单二极管/整流器
系列
-
标准包装
100
系列
-
二极管类型
标准
电压 - (Vr)（最大）
50V
电流 - 平均整流 (Io)
6A
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）
1.4V @ 6A
速度
快速恢复 = 200mA（Io）
反向恢复时间(trr)
300ns
电流 - 在 Vr 时反向漏电
15µA @ 50V
电容@ Vr, F
-
安装类型
底座，接线柱安装
封装/外壳
DO-203AA，DO-4，接线柱
供应商设备封装
DO-203AA
包装
散装
其它名称
*1N3879

APT30S20SG 技术参数

APT30S20BG 功能描述:Diode Schottky 200V 45A Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:管件零件状态:有效二极管类型:肖特基电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 电流 - 平均整流（Io）:45A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:850mV @ 30A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:55ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500μA @ 200V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔封装/外壳:TO-247-2 供应商器件封装:TO-247 [B] 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:1 APT30S20BCTG 功能描述:Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 200V 45A Through Hole, Radial TO-247-3 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:管件零件状态:有效二极管配置:1 对共阴极二极管类型:肖特基电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 电流 - 平均整流（Io）（每二极管）:45A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:850mV @ 30A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:55ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500μA @ 200V 安装类型:通孔，径向封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247 [B] 标准包装:1 APT30N60KC6 功能描述:MOSFET N-CH 600V 30A TO-220 制造商:microsemi corporation 系列:CoolMOS?? 包装:管件零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:30A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:125 毫欧 @ 14.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 960μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:88nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2267pF @ 25V 功率 - 最大值:219W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220 [K] 标准包装:50 APT30N60BC6 功能描述:MOSFET N-CH 600V 30A TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:CoolMOS?? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:30A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:125 毫欧 @ 14.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 960μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:88nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2267pF @ 25V 功率 - 最大值:219W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247 [B] 标准包装:1 APT30M85BVRG 功能描述:MOSFET N-CH 300V 40A TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS V? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:300V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:40A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:85 毫欧 @ 500mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:195nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:4950pF @ 25V 功率 - 最大值:300W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247 [B] 标准包装:1 APT3216LSECK/J3-PRV APT3216LSECK/J4-PRV APT3216LSYCK/J3-PRV APT3216LVBC/D APT3216LZGCK APT3216MGC APT3216PBC/A APT3216QBC/D APT3216SECK APT3216SECK/J3-PRV APT3216SECK/J4-PRV APT3216SGC APT3216SRCPRV APT3216SURCK APT3216SYCK APT3216SYCK/J3-PRV APT3216VBC/D APT3216YC